[参考译文] LM74930-Q1：如果输入/输出电容比不足、则无法激活输出

尊敬的 Damanio：

输入电源是否处于电流限制状态？ 由于电流限制、VIN 可能会下降、CIN 可能支持电源。

请尝试增大电流限值并再次测试。

此致、

Shiven Dhir

理想二极管在电流限制设置为45A 的大电源下进行了测试、远高于19A 的预期浪涌电流值。

另外、当我通常指输入电容时、我在考虑中包括了电源的电容。

是否有取决于负载电容的最低输入电容要求？ 我在数据表中找不到任何信息。
目前、电路板上有2个1 μ F + 100nF 陶瓷电容器和一个10 μ F 薄膜电容器。

尊敬的 Damiano：

上述电容值看起来很好。

当您看到故障和得到改进时、请分享启动波形。

请探测以下信号。

VIN、VOUT、VS、HGATE

此致、

Shiven Dhir

这代表了当理想二极管具有较大的 Cout 并且很难导通时观察到的行为(但在重试几次后设法做到这一点)。
最初、当理想二极管 MOSFET 通过体二极管时、V (A)上升和 Vout 之间存在二极管压降。
然后、您可以看到、当 DGATE 在 V (A_PORR)阈值下启用时、V (A)下降。
显然 V (A)随后降至 V (A_PORF)以下并再次关断。 然后重复该循环。

Ch1为 Vout
Ch2为 V (A)(共源电压)
CH3为 EN

进一步增加 Cout 最终达到理想二极管在重复更多周期(如 V (A_PORx)后、完全停止重试、永远不会实际将 Vout 升至 Vin。

另一方面、这是 Cout 较低时的行为。
V (A)不会下降太多、导通是干净的。

CH3为 Vout
Ch2为 V (A)(共源电压)
CH1为 EN

这些是我刚才进行的测量、因为硬件现在与客户端一起、因此我无法对实际硬件进行额外的测试、但如果需要、我可以尝试使用 LM74930Q1EVM 进行更多的测量。

尊敬的 Damiano：

这样就很适合在 EVM 上复制。 这将使我能够复制它。

请探测以下信号。

VIN、VOUT、VS、HGATE

VA、VCAP、VS、HGATE

此致、

Shiven Dhir

我不在办公室,直到星期一。 我将尝试在下周开始进行测量。

好的 Damiano

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven：

我使用了额外的 Cout 电容器在 EVM 上进行了一些测量、但我无法重现在电路板上看到的行为。  问题必须与我们的具体设计有关。

很遗憾、我无法在此公开披露详细信息。 我可以通过电子邮件与您联系吗？

谢谢你
Damiano