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器件型号：LM74930-Q1 主题中讨论的其他器件：LM74930Q1EVM、 LM74930
工具/软件：
在具有相当大输出电容(电机驱动器的3750uF、大容量电容)的设计中、如果输入电容与输出电容相比不够大、则电路无法启动输出电压。
然后 nFLT 引脚被拉至低电平、以发出故障条件。
经过一些调查后、似乎是在 V_A (共源电压)达到 V_A_PORR 阈值且 DGATE 已启用时触发的。
到目前为止、理想二极管 MOSFET 通过体二极管导通、因此在两端存在二极管压降。
理想二极管 MOSFET 在没有足够输入电容的情况下突然导通的影响是、它不是上拉输出电压、而是实际下拉 V_A 电压、再次降至 V_A_PORF 以下并禁用 MOSFET。
此时、HGATE 也停止上升。 我不明白为什么。
如果输入电容过低、它实际上从未设法完成软启动斜坡、Vout 绝不会上升到高于 V_A_PORR 减去二极管压降。
如果电容比 Cin/Cout 接近限值、则会在 V_A_POR 阈值附近振荡几次、最终成功超过 V_A_POR 阈值、此时 Vout 再次开始以预期的压摆率上升。 之后一切都正常运行。
如果 Cin 远大于 Cout、则在每次启动时都会进行清洁、Vout 始终按照预期上升、并具有正确的软启动延迟。
此行为可通过 LM74930Q1EVM 评估板重现。
这是已知问题吗？ 我有否可以采取任何缓解措施来减少这一问题？
这非常烦人、因为 LM74930在系统中的一个功能就是精确用作大电容的浪涌电流限制器。
提前感谢
Damiano
