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[参考译文] UCC27714:使用 ROHM 器件支持 LLC 仿真

Guru**** 2458670 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27714

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516986/ucc27714-llc-simulation-support-with-rohm-device

器件型号:UCC27714

工具/软件:

HLO 团队、

我将 UCC27714用于开关 LLC 转换器、在实验室中进行测试时遇到了一些问题、因此我想在 TINA 中对电路进行仿真。

但我无法获得我预期 HO 和 LO 应该跟随 HI 和 LI 信号且电压为18V 时的确切输出。

自举电容器未充电至 Vdd 电压、在这里附加了.tsm 文件、请更正并在需要进行任何更改时恢复。

谢谢

Umesh D.e2e.ti.com/.../slum494--ROHM.TSC

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    您好 Umesh、

    我尝试运行您所附的原理图、但收到语法错误。 您能否提供您有疑虑的信号的波形图? 为了使自举电容器充电、低侧 FET 需要切换至接地、以便为引导电容器提供充电路径。 您能否确认低侧 FET 正在开关并且 HS 引脚切换至接近接地?

    此致、  

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    您好、Richard、

    您遇到的语法错误是什么。 低侧 FET 信号符合预期、即18V。 但 HS 引脚具有恒定的50V、H0引脚也具有恒定的50V。

    您能否在您拥有的 TSM 文件中验证我是否正确建模了我的 FET (SCT3040Kr) Hz 电压 没错、我会得到400V、但如果我 使用万用表测量 Cboot 两端的电压、则会得到-276mv。

    此致、

    Umesh D.

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    可以绘制 HS 电压和 HB-HS 电压吗? 我们需要确认 HS 切换到接地、而 HB 至 HS 偏置高于 UVLO。 确认电源设备 VDS 正在响应。

    此致、

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    如何检查 VDS 是否响应?

    图1显示了 HS 电压、图2显示了 HB-HS 电压、图3显示了 HO 电压;它恒定为50V。

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    您好 Umesh、

    我再次查看了您的原理图、也查看了 SCT3040数据表。 根据 ROHM 器件的数据表、您确实具有正确的引脚连接。 如果正如我想您在之前的图中所展示的、U2栅源电压为18V、则 U2漏极电压应切换到接近接地的位置。 否则、MOSFET 模型可能不正确。 阈值电压(Vgs)规格为5.6V、因此18V 足以开关器件。

    您是否可以尝试在 ROHM 功率 FET 的原理图中从外部连接引脚2至3、看看开尔文源连接是否有问题? 如果开关节点切换至接地、HB 偏置会充电、从而使驱动器 HO 能够运行。

    此致、

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    您好、Richard、

    感谢您的建议。 我尝试了你推荐的,但不幸的是,它仍然不起作用。

    在 TINA (2N6755)中将 SCT3040KR 替换为默认 MOSFET 模型时、电路正常工作。

    我注意到2N6755是3引脚器件、而 SCT3040KR 是4引脚器件。 使用 UCC27714驱动 SCT3040KR 等4引脚器件时、是否有任何具体的注意事项?

    在我的测试板上也遇到同样的问题。 对于使用4引脚器件、有任何特殊的布局建议吗?

    谢谢你。

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    您好、Richard、

    是否有任何更新?

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    尊敬的 Umesh:

    由于美国节假日、回复将延迟。

    我们的专业专家将尽快与您联系。

    此致、

    Hiroki

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    您好 Umesh、

    感谢您确认备用 FET 在仿真中正常工作。 我很惊讶您在实际电路板中看到了相同的问题。 根据 ROHM 的数据表、引脚2和3应在 FET 内部连接。 将开尔文源 FET 与驱动器一起使用时、需要考虑的因素涉及在电路板布局布线上如何布线 VSS 和 COM。 如以下链接所示、有关该主题的常见问题解答介绍了如何使用 UCC27714的分离接地。

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1493915/faq-ucc27714-what-are-the-design-considerations-for-split-ground-half-bridge-gate-driver-in-high-voltage-applications

    您可能需要确认 ROHM FET 对于开尔文源极连接没有一些独特问题。

    此致、