工具/软件:
你(们)好
我们测量了高侧 VDS 并发现电压超过 VIN 规格。
测量高侧 VDS 时、我们是否应该根据 SW 节点交流规格或 VIN 最大额定值进行检查?
我们感谢您帮助澄清这个问题。 谢谢!
测试条件
Vin=5V
Vout=1.1V
Iout=3A
我们使用差分探头来测量高侧 VDS
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工具/软件:
你(们)好
我们测量了高侧 VDS 并发现电压超过 VIN 规格。
测量高侧 VDS 时、我们是否应该根据 SW 节点交流规格或 VIN 最大额定值进行检查?
我们感谢您帮助澄清这个问题。 谢谢!
测试条件
Vin=5V
Vout=1.1V
Iout=3A
我们使用差分探头来测量高侧 VDS
尊敬的 Alvin:
VIN 的绝对最大电压规格以 IC GND 引脚为基准、而不是以 SW 为基准。
在布局上、使用靠近 IC GND 引脚的过孔以及 GND 焊盘输入和输出电容器会很有用。 在直流/直流转换器下方有一个实心 GND 平面、它的无源器件也很好。
靠近 IC 的小外壳尺寸(0402)电容器(~2.2nF)也有助于减少 VIN 和 SW 开关交流尖峰。
此致、
Varun
尊敬的 Alvin:
通过分别相对于 GND 测量 VIN 和 SW、可确保满足两个 FET 的 VDS 规格。 无需单独测量 VDS。
如果您想验证 FET 的 VDS、对于 HS FET、您可以将 VDS 最大值规格视为 VIN 绝对最大值(6V)- SW 绝对最小值(-1V DC、-2.5V AC 10ns)。 直流电压为7V、交流电压为8.5V。 对于 LS FET、您可以采用 SW 至 GND 额定值。
此致、
Varun