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[参考译文] BQ25756EVM:栅极电阻器显示为缺失?

Guru**** 2325560 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1526070/bq25756evm-gate-resistors-appear-missing

器件型号:BQ25756EVM

工具/软件:

我正在查看评估套件原理图和布局、原理图清楚地显示了 0 欧姆栅极电阻器作为稍后调优的占位符、以更大限度地减少栅极振铃。

但是、当我查看布局时、无论是在评估指南布局单层视图还是物理评估板的图像中、我根本找不到这些电阻器。

是否在最终布局中省略了这些?

如果我打算将它们添加到我的设计中、我认为应该将它们放置在靠近栅极驱动引脚的位置、而不是更靠近 FET 的位置、是正确的吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    电阻器 (R3、R8、R17 和 R20) 位于 EVM 底部的晶体管下方。 我不知道刷新 EVM 时省略了它们。 如果您找不到 EVM、请给我发送一张 EVM 底部的图片。

    如果在设计中包含强度限制电阻器、则将其靠近 FET 放置应该很好。 还有更重要的注意事项、其优先级应更接近 IC。 确保将栅极驱动布线保持较短、以便更大限度地减小环路电感。

    此致、
    Michael

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    谢谢 Michael、我现在只是查看文档、而不是物理板、因此找不到这些文档。  

    评估板用户指南没有底部覆盖层、也没有电路板底部的图片、因此很难知道是否有元件。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    很有道理。 我 已经指出了此图上电阻器的位置以供您参考。 如果您有任何其他问题、请告诉我。

    此致、
    Michael

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    非常感谢!