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[参考译文] 过压锁定

Guru**** 2331900 points
Other Parts Discussed in Thread: TL431
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1526440/overvoltage-lockout

器件型号:TL431-Q1
主题中讨论的其他器件:TL431

工具/软件:

尊敬的技术支持团队:

我设计了以下 OVLO 电路。 根据我的测量结果、电路的阈值(串联 P 沟道 FET 关断)远低于我计算出的阈值(低~2V)。 当 I 降低 R2 值时、阈值 (VOUT_OFF_nom) 将更接近我的计算值。

我的问题是、如何准确地设计和计算阈值? 我看不到 I_KA(阴极电流)与阈值之间的相关性。 作为 I_KA 的函数的 V_KA(阴极电压)是多少?

V_KA (V_REF、I_REF、R4、R5、R2) 函数是什么?

定义输出电压(负载两端的电压)的函数如下。

谢谢!

此致、

Tibor

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Tibor:

    感谢您的提问!

    您似乎希望创建一个过压检测电路、在该电路中、当 V1 达到大约 18V 时、TL431 将导通。

    首先、请考虑使用 TPS3760E 等电压监控器进行 OV 检测:

    https://www.ti.com/product/TPS3760

    此解决方案可能有助于简化设计。

    对于 TL431 实现、 TL431 似乎比预期更早导通、这会导致 PMOS 提前关断。 这可能是由于 TL431 的泄漏行为。 请参阅以下内容:

    随着原理图中 Vin 的增加、即使在 Vin = 2.5V 时完全导通之前、器件也会开始分流电流。  

    此致、

    Andrew Li