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[参考译文] LM51772:适用于较低晶体管加热的出色套件

Guru**** 2331900 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1527376/lm51772-best-sets-for-lower-transistors-heating

器件型号:LM51772

工具/软件:

您好、我需要设计尺寸尽可能小的 160W/50V 降压/升压转换器。  对于可能损失的较低晶体管(热量)而言、最佳模式和频率是什么? 热的问题是巨大的 — 我不能使用主动冷却。 现在我使用晶体管: ISZ034N06LM5ATMA1。 可能会转向 GaN。 但可能需要首先优化 LM51722 的设置。

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    您好、Stoil、

    有几个参数会影响 MSOFET 内的损耗。

    因此、通常需要针对每种 MSOFET 类型和最重要用例的确切条件来计算和比较这一情况。

    (在大多数情况下,改进一个参数会使另一个参数产生更多损耗。 例如 R_DS、on 与栅极电荷)

    您可以使用快速入门计算器: LM51772 设计计算器 

    以便对损耗进行估算。

    此致、

     Stefan

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    您好、Stefan。 但可能是如果我将频率降低到最小值,将更好的晶体管损失。 我知道电感器尺寸会增加、但问题在于晶体管的冷却。 其他是模式:你怎么认为 PWM 或 PCM 更好?

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    您好、Stoil、

    是的、没错:与电感器尺寸保持一致时、由于转换损耗降低、因此降低频率通常具有更低的损耗。

    对于具有 160W 输出功率的设计、您将始终处于 CCM 模式、因此 FPWM 或 PSM 将不会有任何差异。 这只会在功耗较低时出现、而 PSM 可以提供更高的效率和更高的输出纹波。

    此致、

     Stefan