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器件型号：TPS4810-Q1 主题中讨论的其他器件：TPS1210-Q1、
工具/软件：
尊敬的专家：
我的客户 (CosMX) 正在设计 TPS4810-Q1 原理图、想知道如何设计 TPS4810-Q1/TPS1210-Q1 的软启动。 您能分享一些原则信息或参考设计吗？ 谢谢。
最好的注意、
Ryker
工具/软件：
尊敬的专家：
我的客户 (CosMX) 正在设计 TPS4810-Q1 原理图、想知道如何设计 TPS4810-Q1/TPS1210-Q1 的软启动。 您能分享一些原则信息或参考设计吗？ 谢谢。
最好的注意、
Ryker
您好、Ryker、
TPS4810/1210 器件可通过两种方式处理“软启动“：
1.) FET 栅极通过压摆率控制来控制浪涌。 对于本节、请考虑数据表的“使用 FET 栅极 (G1PU、G1PD) 压摆率控制进行 7.3.2 容性负载驱动“部分。 此处我们详细介绍了如何选择 R1、R2 和 C1 来帮助减轻浪涌。
作为参考、您也可以使用在线计算器工具、它可以帮助您为此值以及 TPS4810 EVM 选择合适的值、该工具使用 R1 值来控制上拉时间和栅极电阻器、这是限制线路电感的一种很好的做法、可在导通期间导致栅极出现振铃。
计算器： https://www.ti.com/product/TPS4810-Q1#design-tools-simulation
TPS4810 EVM： https://www.ti.com/tool/TPS4810Q1EVM
2.) 预充电路径。 如果您知道将在高容性负载下导通、可以考虑将 TPS4810 的第二个栅极用于单独的预充电路径。 这有助于在主 FET 路径导通之前为输出电容充电、并减少浪涌。
谢谢您、
Sarah
