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[参考译文] LM51770：芯片不工作

admin
Guru**** 2344160 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5177, LM51770, PMP23377
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1523430/lm51770-the-chip-is-not-work

部件号：LM51770
主题中讨论的其他器件：LM5177、 PMP23377、 LM251772EVM-EVM PD

工具/软件：

e2e.ti.com/.../2330.WBDesign19.pdf

我指的是这个电路、但它无法正常工作、输入 24V 输出为 0V、FB 电压也为 0V、我不知道如何解决这个问题、请帮助、谢谢

  • 0
    TI__Guru**** 2344160 points
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    您好、张：

    您能否分享您的原理图（而不仅仅是 webench）。

    您是否还能分享一些示波器图：

    VIN

    - VOUT

    - SW1 和 SW1

    - COMP

    - SS

    - VCC

    - EN-UVLO

    此致、

     Stefan

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    TI__Guru**** 2344160 points
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    尊敬的 Stefan：

     下面是测试的原理图和波形图、请帮助分析、谢谢

    e2e.ti.com/.../LM51770.pdf

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    TI__Guru**** 2344160 points
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    您好、张：

    VCC 上的电容太低。 根据数据表、考虑到电容器的直流偏置降额、这需要超过 10uF。

    （例如在我们使用了 47uF 的 EVM 上）

    但 VCC 仅达到 300mV 也非常奇怪。 一旦施加 VIN 且 EN/UVLO 高于 EN 阈值 800mV、VCC 应启用并稳定在~ 5V。

    更多原理图注释：

    -由于您不使用 iSNS、您应将 IMONOUT 连接到 VCC

    -添加栅极电阻器有助于避免 SW1 和 SW2 上出现过冲 — 如果不需要,可以用 0 欧姆组装

    -在 SW1 和 SW2 上有一个缓冲器占位符也有助于 EMI 或 SWx 下冲。

    为了进行进一步调试、我建议：

    -检查 VCC 上是否有短路

    -更换 LM5177

    -在 EN/UVLO 设置为 1V 的情况下为器件上电（启用 VCC 但不启用功率级）

    -检查 VCC 是否为 5V

    -继续进一步测试。

    此致、

     Stefan

  • 0
    TI__Guru**** 2344160 points
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    您好 Stefan：ö m

        除了更换芯片外、其他一切都已确认、我将尝试使用 LM5177

    顺便说一下、如何购买或借用该 EVM (PMP23377b)？

    此致、

     Ethan Zhang

  • 0
    TI__Guru**** 2344160 points
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    您好、张：

    抱歉、忘记了„0 “-仍请使用 LM51770、但尝试替换为新的。

    PMP23377 仅作为参考设计提供、因此只提供设计数据和测量结果。

    此致、

     Stefan

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    TI__Guru**** 2344160 points
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    您好、Stefan：

      我更换了 LM51770、并进行了一些更改、但 Vout 仍然不正确。请帮助再次分析、谢谢

      VCC：5.0V

      EN：2.16v

      SS：0V、断开模拟跟踪电压、仅 82nf 至 GND

     FB：0.08V、不正确

     VOUT：3V

      e2e.ti.com/.../xrs120n15t.pdf

    xrs120n15t 是 mos。

  • 0
    TI__Guru**** 2344160 points
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    您好、张：

    您使用的 MSOFET 具有约 4.5V 的米勒平坦区域

    LM5177 仅与逻辑电平 MOSFET（米勒平坦区~ 2.5 - 3.5V）配合使用、因此该 MOSFET 不会进入完全导通模式。

    这可能会触发您看到的问题。

    另一种选择（但仍需要修复上述问题）是电流检测信号会拾取大量噪声（在这里，CSA/CSB 信号的路由非常关键）。 如果以更糟糕的方式完成、则可能会触发过流、从而结束连续重启。

    此致、

     Stefan  

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    TI__Guru**** 2344160 points
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    尊敬的 Stefan：

       我、更改了 MOS、但它仍然不起作用、您可以推荐另一个 MOS 给我尝试吗、或者是否参考 TI 的设计来更改电路或添加驱动器来驱动 MOS n ü r 谢谢

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    TI__Guru**** 2344160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、张：

    不确定该电源的规格。

    通过使用我在 webench.pdf 中找到的信息：

    VinMin = 24.0V VinMax = 30.0V Vout = 48.0V Iout = 20.0A

    它应该能够处理 960W 的输出功率。

    如果不使用主动冷却、则需要多相设计。

    基于此、PD 可以使用 LM251772EVM-LM2517EVM 中完成的功率级作为起点、并扩展到 4 个相位。

    也可以使用此设计作为起点：

    PMP23377 参考设计| 德州仪器 TI.com

    注意：在这种功率级别下、布局非常关键。

    另请参阅：

    如需布局指南和布局、请先查看此应用报告： https://www.ti.com/lit/pdf/slvafj3

     

    有关布局的其他信息（基于另一个器件，但在大多数情况下对于该器件也有效）可在此处找到：

    (1) 四开关降压/升压布局提示 1：确定布局的关键器件

    (2) 四开关降压/升压布局提示 2：优化功率级中的热环路

    (3) 四开关降压/升压布局提示 3：将差分检测线路与电源平面分离

    (4) 四开关降压/升压布局提示 4：栅极驱动和返回路径布线

    此致、

     Stefan