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[参考译文] LM74720-Q1:LM74720QDRRRQ1 应用问题

Guru**** 2341440 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1525826/lm74720-q1-lm74720qdrrrq1-application-questions

器件型号:LM74720-Q1

工具/软件:

尊敬的团队:

在我们的项目中、我们计划添加一个理想二极管 LM74720QDRRRQ1。 我们使用的当前架构是“仅限理想二极管“。 我们要确认以下几点:

  • SW 引脚 当前未使用。 根据数据表、建议将其短接至 VSNS 并将其连接到 C 引脚 并连接到 NMOS 的漏极。 不过、 VSNS 当前短路到 A NMOS 的源极。 我们想确认如何操作 SW 引脚 插入器。
  • OV 引脚 也未使用。 我们可以直接将其短接至

此致、

Roy

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    尊敬的 Roy:

    1.如果不需要 SW、可以从 A 断开 VSNS。接下来、改为将其连接到 C。

    2. OV 可以接地。

    此致、

    Shiven Dhir

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    您好、Shiven、

    感谢您的意见。

    现在、我们将使用两种 MOSFET 拓扑来实现“过压保护“和“反向电压保护“。

    这是我们的原理图。 您能帮我们回顾一下、如果设计有任何问题吗?

     

    如图中所述、R13043 和 R13046 将分别替换为 9.09k Ω 和 3.48k Ω。

     

    如果您需要更多信息、请告诉我。

    Z13003:BZX84-B15-QR

    Q13002、Q13003:DMTH6016LPSQ-13

    此致、

    Roy

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    尊敬的 Roy:

    原理图看起来没有问题。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    我们更改了一些有关过压保护的设计。 由于我们的设计是常开设计、因此它会导致过多暗电流。

    这是我们的原理图。 您能帮我们再次查看一下、如果最终设计有任何问题吗?

    相关问题 EN ,我们一直期望它保持在一个 常开 状态、所以 A  33µA 暗电流 是可以接受的。

    此外、我们还更改了的电容 C13028 (如红色框中所示)至 100nF  以满足的要求 SOA 的终端电源要求 NMOS (Q13003)

    请帮助检查所有设计是否都符合规格和预期。

    此致、

    Roy

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    尊敬的 Roy:

    原理图没有问题。

    此致、

    Shiven Dhir