工具/软件:
尊敬的团队:
在我们的项目中、我们计划添加一个理想二极管 LM74720QDRRRQ1。 我们使用的当前架构是“仅限理想二极管“。 我们要确认以下几点:
- 。 SW 引脚 当前未使用。 根据数据表、建议将其短接至 VSNS 并将其连接到 C 引脚 并连接到 NMOS 的漏极。 不过、 VSNS 当前短路到 A NMOS 的源极。 我们想确认如何操作 SW 引脚 插入器。
- 。 OV 引脚 也未使用。 我们可以直接将其短接至 地 ?
此致、
Roy
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工具/软件:
尊敬的团队:
在我们的项目中、我们计划添加一个理想二极管 LM74720QDRRRQ1。 我们使用的当前架构是“仅限理想二极管“。 我们要确认以下几点:
此致、
Roy
您好、Shiven、
感谢您的意见。
现在、我们将使用两种 MOSFET 拓扑来实现“过压保护“和“反向电压保护“。
这是我们的原理图。 您能帮我们回顾一下、如果设计有任何问题吗?
如图中所述、R13043 和 R13046 将分别替换为 9.09k Ω 和 3.48k Ω。
如果您需要更多信息、请告诉我。
Z13003:BZX84-B15-QR
Q13002、Q13003:DMTH6016LPSQ-13
此致、
Roy
尊敬的 Shiven:
我们更改了一些有关过压保护的设计。 由于我们的设计是常开设计、因此它会导致过多暗电流。
这是我们的原理图。 您能帮我们再次查看一下、如果最终设计有任何问题吗?
相关问题 EN ,我们一直期望它保持在一个 常开 状态、所以 A 33µA 暗电流 是可以接受的。
此外、我们还更改了的电容 C13028 (如红色框中所示)至 100nF 以满足的要求 SOA 的终端电源要求 NMOS (Q13003) 。
请帮助检查所有设计是否都符合规格和预期。
此致、
Roy