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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1530484/lm5185-lm5185-50w-flyback-psr-dc-dc-converter-design-review
工具/软件：
尊敬的 TI 团队：
我已经使用 LM5185 创建了 50W IOW 成本隔离设计原理图、要求如下：
-输入：36-75V
-输出：12V4.2A
请查看随附的更新后的原理图和 TI 反激式计算表。 在开始 PCB 设计之前、请告知我是否需要进行任何校正和即兴处理。
请告诉我您的宝贵反馈。
谢谢。
e2e.ti.com/.../LM5185_5F00_12V50W.xlsx
叉车、请参见以下 ym 原理图回顾
-Mosfet、秒 二极管和反激式变压器外观良好。
-RFB：我建议将 Rfb 提高到 310k Ω。 当 Vout 为 300k Ω 时、将~11.5V。
-钳位:我建议将齐纳二极管的钳位电压提高到 90V。 我们建议钳位电压为反射输出电压（初级侧）的 1.5 倍、作为避免 MOSFET 上的过压和降低漏电感损耗之间的良好权衡。 60V 钳位电压将防止 MOSFET 上出现任何过压、但它会增加漏电导通的损耗、因为漏电流耗散需要更长时间并存储更多能量。
其余的看起来不错。
谢谢你
尊敬的 Manuel：
感谢您的支持。
如果我使用齐纳二极管、则 MOSFET 上的过压应力会更高 90V、但现在我想将 MOSFET 更改为 ISZ520N20NM6ATMA1、并且 VDS = 200V 是否可以像这样更改二极管齐纳二极管？
叉车、
对于 200V MOSFET、我建议使用 75V 的齐纳钳位电压、以便 MOSFET 漏极的最大电压变为 SW = 75V+75V=150V、即 200V 的 75%。
此致
