主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、
工具/软件:
我们最近发现、数据闪存中有一小部分静态设置与写入电池包的配置文件不匹配。 我们怀疑写入被中断、或 SMBus 在通过 BQStudio 进行写入期间遇到错误。
我们想介绍一个生产步骤、来验证静态 DF。
我看到 TRM 的第 18.1.6 节中注明了静态 DF 签名。 但是、它未能与执行内部校验和比较的器件进行比较、并且仅返回 0 或 1、具体取决于结果。
我们希望从外部计算 Configuration 文件静态值的校验和、并从 BQ40Z80 中提取校验和、然后对两者进行比较。
例如、我们想确保写入的静态 DF 值与我们的外部配置文件相匹配。
我意识到、可以在 BQstudio 中加载配置文件、然后从 BQ40Z80 读取闪存、然后通过用红色突出显示不同的电池来执行比较。 但是、这是一个缓慢的手动过程。 此外、我们计划切换到使用我们系统的微控制器(在与 BQ40Z80 相同的 SMBus 上)来写入 DF 并验证校验和。
这是可能的吗? 如果是、我们在哪里可以找到包含在被视为“静态“的 DF 值子集中的值列表、以便我们可以从配置文件计算校验和?
谢谢您、
此致、
Daniel