主题中讨论的其他器件:LM74800-Q1
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我们目前使用 LM74800-Q1 IC 作为应用的理想二极管驱动器。 此驱动器可与 ISCH42N04LM7ATMA1 功率 MOSFET(极低的 Rdson)结合使用。
这对用于将 2 个电源连接到主总线、为某些电子器件和电机供电。 IC + MOSFET 配置为共漏极配置、仅使用理想二极管侧(不使用 HGATE)。 其理念是、如果电源发生故障、则没有反向电流流向电源。 此外、当我们的电机进行制动(主动制动)时、随着主输出总线上的电压升高、我们采用了理想二极管来保护电源。 源极有自己的 OVLO、但我们想避免这种情况、因此是理想二极管。
以下是我们设计中理想二极管器件的原理图(板上 2 个,每个电源一个)。
请注意、+24V 侧具有一些大容量电容(约 670uF)。 输出连接到电子器件和电机(也会连接一些电容,非常靠近电机)。 还存在能量转储电路、当制动期间输出总线电压过高时将触发、并会转储某些电阻中的多余能量。
我们使用一个简单的电机通过螺旋桨运行来产生一定扭矩、对该电路进行了测试。 电机会非常快地从正旋转变为负旋转。
上面的示波器截图具有以下曲线:黄色:进出电机的电流。 蓝色:VGate 电源 1。 粉色:VGate 电源 2. 绿色:输出总线电压(共漏极)。
我们看到的是电机制动。 在开始时的一小段时间内、检测到反向电流(Vgate 在稳定状态期间被调节到足够低的电平,检测快速)。 然后、电流重新上升、Vgate 被驱动至超高电平、然后线性下降、直到出现下一个尖峰。 但在这种低 Vgate 线性降压调节期间、电流开始回流。 问题是随着电源轨上升、它将开始为大容量电容器供电。 现在、我们有阳极和阴极升压、反向电流保护无法正常工作。
对我来说、线性调节似乎太软/太慢。 这意味着、如果我们从 0A 开始运行、则会发生电流浪涌、栅极将尽可能高、以获得 10mV 的压降(这很好)。 但是、如果电流随后反向或下降得足够快、则调节跟随得不够快、基本上保持较低的 Rdson、使得反向电流检测变得更困难 、保护会延迟(Vgate 将 Vs 断开电路)
我的问题如下:
我是否正确理解了这种情况?
调节在 Vgate 上缓慢下降是正常的吗?
什么是使系统更灵敏的最佳方法?
在阴极侧而不是阳极侧移动大容量电容会更好吗?
提前感谢您的帮助。 请随时向我询问有关此案例的说明或更多详细信息。
此致、
Marc