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部件号：BQ25186 工具/软件：
您能帮助 我澄清 BQ25186DLHR 功率耗散计算的问题、下面是数据表中给出的功率耗散公式、如果我将 SYS 电压调节到特定水平、可以使用该公式、但如果我配置它以便通过而不进行任何调节、则如何计算 Psys。
此外、确认 SYS 输出端应 提供多大的电压才能将电池充电至 4.1V
工具/软件：
您好：
感谢您的联系。 当 SYS 调节设置为直通模式时、输入 FET (PSYS) 上的功率耗散取决于输入电流 (IIN) 和 FET 的导通电阻 (RON_IN)。 它的计算公式如下：
PSYS = IIN2 * RON_IN
在此模式下、为 4.1V 电池充电所需的最小 SYS 电压取决于充电电流和睡眠模式阈值。
输入 FET 和 BATFET 的压降电压可用于确定所需的最小 VIN。 例如、在充电电流为 1A 并使用最坏情况下的 RON 值时、输入 FET 的压降为 470mV、BATFET 的压降为 140mV。 因此、如果电池电压为 4.1V：
由此得出 VIN - VBAT = 610mV、高于睡眠阈值、因此充电器不会进入睡眠模式。
如果充电电流较低（例如 100mA）、则压降电压会按比例调节：
在这种情况下、充电器会在发生压降之前进入睡眠模式、因此睡眠阈值成为最小 VIN 的限制因素。 此外、根据充电电流以及 VSYS 与 VBAT 的接近程度、可能需要禁用 VDPPM。
如果您有任何问题、请告诉我。 我很乐意提供帮助。
此致、
Alec
