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[参考译文] TPS1HTC30-Q1:故障与 MOSFET 栅极之间的解释

Guru**** 2357930 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1531997/tps1htc30-q1-explation-between-fault-and-mosfet-gate

器件型号:TPS1HTC30-Q1

工具/软件:

大家好、我与 TPS1HTC30 进行了一些测试。 我观察到一种我不理解的情况、但在数据表中找不到说明。

具体情况是、当电流接近限值(比电流限值低约 10%)时、故障会下降、IC 开始发热。

我们认为是使用故障标志降低栅极电压。

那么、导致这种情况的原因是什么?

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    您好 Oguzhan、

    电流限制的范围基于 KCL 最小值/最大值。  

    当器件主动钳制电流时、会产生更多的功率损耗并且器件会发热。 故障也将变为低电平、以指示过流情况。

    您尝试将器件设置为什么 ILIM 电阻器和电流限制?

    此致、

    Rishika Patel  

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    尊敬的 Rishika:

    我们的 ILIM 电阻器为 24.9K Ω、电流限制为 4A。

    FAULT 在 3.6A 左右变为低电平。

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    您好 Oguzhan、

    由于参数可能因 PVT(工艺,电压和温度)而异、因此我们必须考虑给出的容差。 因此、  根据给定的 KCL 范围和 RILIM = 24.9K、ILIM 范围分别为 3.2/4.0/4.8A (ILIM = KCL/RILIM) 作为最小值/典型值/最大值。

    此致、

    Rishika Patel