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[参考译文] TPS23861:TPS23861PWR IEEE802.3 at &af 设置问题

Guru**** 2373240 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23861
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516825/tps23861-tps23861pwr-ieee802-3-at-af-setting-problem

器件型号:TPS23861

工具/软件:

尊敬的先生:

请问您有以下问题:

 TPS23861 是否具有可针对 EMI 测试进行优化的功率展频特性?

2. 如何通过 I2C 读取 MCU 当前的 IEEE 802.3 AT & af 配置? 我可以自行修改设置吗?

3. 如何确定是否具备 OCP(过流保护)还是 OVP(过压保护)功能?

4. LAN 端口根据 MCU 的预设配置检测到的默认标准是什么?

5. 目前我们的 10G PSE Sifos 测试在标记电压最小值项目 AT 模式下失败。 该部分与什么相关? 请参阅以下文件:

e2e.ti.com/.../10G-PORT1_2D00_AF-Mode.xlsx

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    尊敬的 Tommy:

    1. TPS23861 没有开关功能。 通常、PSE 芯片不会成为 EMI 问题的原因;

    2.可以通过 I2C 读取和写入 TPS23861 寄存器。 我们还通过 www.ti.com/.../TPS23861 提供了参考代码  

    TPS23861 在 2A 和 2B 寄存器中具有用于 OCP 的 Icut 保护。 无特定 OVP、但可通过寄存器读取输入和端口电压

    TPS23861 是 802.3at 标准。 您可以选择 PHY(物理);

    5、预计出现故障、因为 TPS23861 处于额定值、将显示 4 级 PD 的两个分级事件。 正确的方法是在 30W 下进行测试、或仅禁用 AF 的第二分级(请参阅下面的链接)

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/723204/faq-tps23861-how-to-configure-to-output-type1-power-even-if-a-type-2-pd-is-connected

    此致、

    DIAN

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    尊敬的 Diang:  

    感谢您的帮助。 您能否详细介绍一下如何“禁用仅 AF 的第二个分类“? 此外、Sifo mark Voltage Min 的标准测试流程是什么?

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    尊敬的 Wayne:

    请检查以下有关 仅禁用 AF 的第二个分类“的信息:

    如果 TPS23861 发现在第一级侦测分级期间连接了 2 类(4 级) PD、则 PSE 应启动第二级侦测分级、并将 ICUT 设置为 645mA、从而启用 2 类功率。

    但是、由于电源管理或负载功率限制、即使连接了 2 类(4 级) PD、一些客户也希望将端口输出功率限制为 1 类。 它可通过禁用两事件分级 (0x21h) 并将 ICUT 设置为 374mA (0x2A、0x2B) 来实现。

    4 级标记电压通过范围为 7 - 10V。 对于仅具有 1 个分级的 0-3 类、可能不需要标记。

    此致、

    DIAN  

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      尊敬的 Diang:  

      感谢您的反馈。  实际上设计适用于 AT 和 AF。 对于 AF、我们将尝试 禁用第 2 种分级。 但是、AT 模式如何? 我们的设计包含 4 个 AT 端口、存在一个存在此问题的 10G 端口。 标记电压仅为 6.7V。 是否有办法提高?

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       尊敬的 Wayne:

      可能由串联端口中添加的一些二极管引起。 您能分享一下原理图吗?  

      此致、

      DIAN

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      亲爱的 Diang

      SCH 如下所示

      关于 AT 模式故障项、我们必须尝试将 PSE 输出电压从 53.5V 修改为 54.8V、它看起来可以通过标记电压故障项、

      这是正确的解决方案或只是变通办法?  

      我们发现了另一个测试项目、仪器确定它为“信息“。 您能帮我检查一下吗? 我应该如何解决此问题?

      Sifos 供应商认为、我们需要解决这个问题以避免其他影响。

      谢谢

      此致  

      Howard

      e2e.ti.com/.../GPT_2D00_5340KV1_5F00_C2_5F00_AA_5F00_PSE-circuit_5F00_20250610.pdfe2e.ti.com/.../10G-PORT1_2D00_AT.xlsx

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      您好、Howard:

      “信息“不是故障、通常不需要进行更改。

      关于 AT 模式故障项、我们必须尝试将 PSE 输出电压从 53.5V 修改为 54.8V、它看起来可以通过标记电压故障项、

      这是正确的解决方案或只是变通办法?  

      [/报价]

      我认为 PSE 输出电压 (Vpwr) 和 Vmark 没有很强的连接。 检查原理图后、没有串联的二极管会导致压降和电压不足。 我猜是通道 MOSFET (SSPR18N10-C) 具有 1 - 2.5V 的低阈值。 因此、GATE 引脚可能更难控制 MOSFET 并输出 7V 等低端口电压来准确进行标记。 推荐的特性如所示:

      • Vth (gs) min > 2V
      • RDS (ON):Vgs =10V 时 50m Ω~ 150m Ω
      • Ciss:小于 2000pF
      • Qg:小于 50nc
      • BVdss:大于 100V

      此致、

      DIAN

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      亲爱的 Diang

      所以,我能认为我的项目在模式和 AF 模式标准测试都通过了吗?

      如果 Sifos 测试报告上没有显示失败项。

      您能解释一下为什么我需要选择 NMOS 规格 Vgs (th)> 2V 吗?

      我想听听田先生有什么具体的要求。“

      谢谢您~~

      谢谢

      此致  

      Howard

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      您好、Howard:

      [报价 userid=“657945" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516825/tps23861-tps23861pwr-ieee802-3-at-af-setting-problem/5866164 #5866164“]

      所以,我能认为我的项目在模式和 AF 模式标准测试都通过了吗?

      如果 Sifos 测试报告上没有显示失败项。

      [/报价]

      我同意是否通过了没有失败的报告、并且测试了所有必要的项目。  

      您能分享为什么我需要选择 NMOS 规范 Vgs (th)> 2V 吗?

      VPORT = Vpwr - VDS、Vpwr 是~54V 稳定直流电压、VDS 是可通过 TPS23861 栅极驱动器进行调节的 FET 漏源电压。 在握手期间、VPORT 低于 20V、Vds 通常为 50 - 30V、这意味着 FET 处于饱和区域 (Vgs 接近 Vgs_th)、通过 GATE 引脚的灌电流和拉电流微调来实现。

      如果 Vgs_th 低至~1V、则对于某些具有非常敏感通道反转层的 MOSFET、栅极驱动器可能很难控制 VDS 以产生精确的 VPORT。  

      此致、

      DIAN

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      亲爱的 Diang

      您是否知道在哪里可以下载 TPS23861 demral 仿真文件设置?

       .ibs.

      这是为了模拟可以将大量的热数据导入模拟。

      谢谢

      此致

      Howard

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      您好 Diang

      您知道我是否需要验证 TPS23861 上的 OCP 功能吗

      哪个引脚可以触发 OCP 功能波形?

      此致

      Howard

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      您好、Howard:

      抱歉、我们没有 TPS23861 热模式。 您可以在数据表中提及封装和热阻。

      OCP 或 Icut 事件将由寄存器记录。   

      下面是一个 OCP 波形示例  

      此致、

      DIAN