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您好:
我在数据表中找不到我们可以用于 Cdvtdt 的最大值。
我在评估板上注意到、在使用 Cdvdt =22uF 且 Cout = 0F 的情况下、元件无法启动并且 FLT 在 6、6s (Tsu_TMR) 后置为有效。
根据我的理解、最大 Cdvdt 可以通过 TSS < Tsu_TMR(使用 TPS1685_CALC_v2.xlsx Excel 工作表)定义、但↑SWEN 和 Vout 开始上升之间存在额外延迟。
我也没有在数据表中找到此延迟的规格、是否可以知道该值? 我可以测量它、但我不知道它是否会因不同的器件而异。
我最后看到的是使用 Cdvdt = 4、7uF 且 Vin = 30V 时为 4800uF 充电。计算表可提供 2938s。
测得的实际值为 4380uF、因此充电速度应该更快。 我在示波器上测量 3、2。
这是因为 Cdvdt 的容忍,我应该把这种容忍作为保证金或从电子保险有其他因素?
电子保险丝适用于我们的 4u7 应用、但我需要此信息、以防我们需要增大输出电容或降低电流。
下面是示波器的捕获结果、我附上了计算表。
我还禁用了评估板上的第二个电子保险丝、并根据我们的规范更改了 UVLO OVLO 桥分压器。
VIN = 30V 2A 实验室电源
输出电容 4800uF 100V 铝
e2e.ti.com/.../TPS1685_5F00_CALC_5F00_v2.xlsx
此致、
Erwan