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[参考译文] BQ25756:充电不会启动、没有故障或错误

Guru**** 2373240 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25750, BQ25756, BQSTUDIO, EV2400
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1520054/bq25756-charging-not-starting-with-no-fault-or-error

器件型号:BQ25756
主题中讨论的其他器件:BQ25750BQSTUDIO、EV2400

工具/软件:

您好:
我们开发了一个新版本的充电器、该版本使用的 MOSFET 比以前更大、并且(我们认为)采用了改进的布局。 遗憾的是、新设计根本无法正常工作。
问题:

 对于短脉冲、INT 引脚会在大约 32Hz 时定期拉至低电平。 ChargerGUI 不报告故障或错误。 没有电流流过电路板。 低侧 MOSFET 似乎正常开关:栅极电压显示了一个干净的数字信号、具有良好的上升和下降时间以及没有振铃。 但是、高侧 MOSFET 没有正常开关—栅极电压略有上升、但随后会快速停止。 (随附屏幕截图。)

到目前为止、我们已经测试了以下内容:
*将死区时间增加到最大值、并在最大值和最小值之间增加各种随机值→无变化。
*将自举电容器从 100nF 增加到 470nF、然后增加到 1 µF →无变化。
*已‘栅极驱动器强度设置为“最快“。
*确认开关频率 (Fsw) 设置为 200 kHz。
‘使用“EN_TS"禁用“禁用温度传感器。
*已‘D“IS_CE_PIN"。“。


在“‘& Faults “‘S中、只有“(FSW_SYNC_FLAG"为“为绿色;所有其他均为关闭。
之前、我们使用了 SIR880BDP-T1-RE3 MOSFET。 现在、我们在两个其他相同的电路板上使用 IAUT165N08S5N029ATMA2 和 FDBL86366-F085。 两者表现出相同的行为。

高侧 MOSFET 栅极(两个显示相同的模式):

低侧 MOSFET 栅极(两个显示相同的模式):


非常感谢您对诊断此问题的任何帮助。


谢谢、

最大值

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    您好、Max、

    感谢您的研究。

    我有几个问题可以帮助进行调试:

    • REGN、DRV_SUP 和 BTST 电容器上的电压是多少?
    • 如果您使用 SiR880BDP FET、电路是否可以工作? 不过、可能很难将 FET 焊接到电路板上。
    • 是否使用外部栅极驱动电压? 如果是、10V 的更高外部栅极驱动是否会改善电路的行为?

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Ethan:


    感谢您的跟进。 以下是您问题的答案:


    REGN、DRV_SUP 和 BTST 电容器上的电压:
    -在 5 V 下测量了 REGN
    - DRV_SUP 由 Wurth Elektronik 173951275 从外部提供稳定的 12V 电压。
    - BTST1 - SW1 和 BTST2 - SW2 的测量值均在 11.5 - 11.7 V 左右、具有中等纹波 (~400 - 700 mV)。 自举电容器看起来充电正确。


    2.电路是否与 SiR880BDP FET 配合工作?
    -使用 SiR880DP FET 的前一个电路板版本工作正常,但存在过热问题。
    -当前的主板使用 IAUT165N08S5N029,其占用空间明显不同/较大。 使用旧 MOSFET 对我来说似乎很难、如果这不是最后一种方法、我想避免尝试。 我还怀疑较大的栅极电荷可能会使内部栅极驱动器过载、尤其是因为我们当前使用 0Ω 栅极电阻器。 我不确定较大的栅极电阻器是否会有所帮助、因为这也会进一步增加开关时间?


    3.是否使用外部栅极驱动电压?
    -是的,我们用 12V 从外部馈送 DRV_SUP ,而不是使用内部电源。 我认为这是我们可以安全连接到此引脚的最高值。


    如果您想获取更多示波器捕获、或者想获取更多有关某些寄存器的信息/屏幕截图、请告诉我。


    此致、

    最大值

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    您好、Maximilian:

    感谢您提供新信息。

    [引用 userid=“630359" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1520054/bq25756-charging-not-starting-with-no-fault-or-error/5845159 #5845159“]我还怀疑较大的栅极电荷可能会使内部栅 极驱动器过载、尤其是因为我们目前使用的是 0Ω 栅极电阻器。 我不确定较大的栅极电阻器是否会有所帮助、因为这也会进一步增加开关时间?

    我不确定栅极电阻器是否也能提供帮助。 顺便说一下、充电器的开关节点电容是有限的。 在数据表中、我们建议 C (SW) 小于 160/VIN。 我复制了数据表的以下相关部分:

    基于此、我认为 FDBL86366−F085 的寄生电容可能过高、无法与 BQ25750 搭配使用。

    我有几个问题可以帮助我们进行调试:

    • 当电路处于降压模式时、您能否进行 SW1、SW2、LODRV1 和 HIDRV1 的示波器捕获? 我想了解 SW1 和 SW2 如何受到栅极驱动波形的影响。
    • 如果可能、您能否拍摄 BTST - SW 示波器屏幕截图? 这可能会告诉我们 BTST 电容器电压是否欠压。
    • 您能给我发送注册文件吗? 最好检查充电器认为它处于什么模式。

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Ethan:

    以下是我的测量结果、全部使用 IAUT165N08S5N029 完成。
    VAC ~47528mV、VBAT ~45350mV。

    SW1 - GND

    SW2 - GND

    HIDRV1 - GND

    LODRV1 - GND

    BTSTS1 - SW1

    BTST2 - SW2

    启用寄存器文件充电:

    e2e.ti.com/.../regs_2800_5_2900_.json.zip

    原理图:

    我不确定栅极电阻器是否也有帮助。

    是否应该尝试 10 –20Ω 栅极电阻器?

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    这很奇怪。 看起来 BTST 有足够的电压来驱动 HIDRV、但 HIDRV 不会导通。 不过、LODRV 似乎能够切换。

    我很好奇电路是否会在升压模式下工作。 如果输入电压低于 VBAT、电路是否会工作?

    在这一点上、如果您有一个 20V 输入至 10V 的电池、那么电路是否会充电?

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Ethan:

    我在安装和运行基于 BQ25756 的充电器方面取得了很大进展。 初始启动问题是由 FSW 引脚上的 MLCC 电容器引起的。 显然、该芯片将其解释为对外部 SYNC 信号而非电阻频率设置的请求、从而导致 HIDRV 保持非活动状态。 移除电容器后、充电器开始正常工作。

    安装散热器后、我能够在 40V 输出下实现 19.6A 的连续充电、而不会出现问题。

    但是、在 45V 至 46V 左右的较高输出电压下会出现一个新的关键问题。即使目标电流固定为 20A、充电电流也会变得不稳定并快速波动。同时、会触发 VAC_DPM_FLAG。 VAC_DPM 阈值被设置为最小值 4.2V、我已直接在 IC 的 VAC 引脚上通过示波器测量确认、该电压绝不会降至 44V 以下。我无法解释为什么在这种情况下设置 DPM 标志。 这是目前我需要理解和解决的最重要问题、因为当前的不稳定性似乎与该标志直接相关、还可能解释其余的散热问题。

    作为次级点、我们之前使用了 Würth Ω 74439370047 (4.7 µH、SMD) 电感器、其饱和电流约为 20A。它们实际上在 40V 和 20A 时热性能相当好 、仅达到大约 52°C、因此 DCR 可能不是限制因素。 但是、在较高的输出电压下、热性能会显著下降、这似乎与饱和和高占空比条件有关。

    我们将它们替换为 Würth 74437625201002 (10 µH、THT)、这种电容器具有大约 30A 的显著更高的饱和电流、而电感仅略高。  在较高电压下的测试期间、这些新电感器仍然会超过 100°C、但由于主要问题是电流不稳定和 DPM 行为、我相信电感器发热与其说是原因、不如说是症状。

    尽管输入电压稳定且远高于配置的阈值、但我非常感谢您关于在此设置中可能触发 VAC_DPM_FLAG 的建议。 任何有关提高稳定性并消除高输出功率下的电流振荡的额外建议都非常有用。

    此致、
    最大值

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    您好、Maximilian:

    我原本预计 FSW 上的 MLCC 电容器不会导致该问题。 感谢您找到这个并让我知道这个。

    我有几个问题可以帮助进行调试:

    • 如果您设置 EN_CONV_FAST_TRANSIENT 位= 0、则充电器的行为是否会得到改善?
    • 如果您在 VIN 和 VBAT 上放置更大的电容、振荡是否会消失? 您或许能够通过将 1000µF 与 VBAT 并联来快速测试这一点。
    • 当电路处于降压/升压模式时、是否会发生这种行为?
    • 如果可能、您能否测量 SW1、SW2、IBAT 和 VBAT 的波形?

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Ethan:

    这些问题现在几乎已经解决。 不稳定显然是由电感太小造成的。 在串联安装 2 个 10 μ H 电感器后、问题几乎消失。 现在、在 48V 输入和 46V 输出且需要 20A 充电电流(这是我发现的最坏情况)的情况下、我得到的充电电流在 1718A 和~0.51Hz 之间波动。 这仍然不是惊人的,但现在对我来说还可以。  

    您建议如何调整开关死区时间? 我害怕通过做公正的试验和错误燃烧一些东西。 目前我在最高死区时间运行。  

    明天我将尝试捕获波形、也许我们可以找出剩余振荡的原因。  

    我只找到了 EN_CONV_FAST_TRANSIENT 位作为可读位:

     

    电路处于降压/升压模式时是否会发生此行为?

    这种行为在 46V OUT 和 48V IN 下最差。 但在 48V 恒定输入下、大致表现为 45.5V 至 49V 输出。 我认为、在这个区域、充电器从降压转换为升压、占空比最高、因此难以正确控制。  

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    现在几乎解决了这些问题。 不稳定显然是电感太小造成的。

    很高兴听到这个消息。  您可能还需要尝试增大电感器的 DCR。 充电器在充电开始时检测电感器的 DCR、增大 DCR 有助于提高充电器的稳定性。

    您如何建议调整开关死区时间?

    我建议放大 MOSFET 栅极电压。 我想这将让您很好地了解允许的死区时间。

    在 46V OUT 和 48V IN 时、行为最差。 但在 48V 恒定输入下、大致表现为 45.5V 至 49V 输出。 我认为、在这个区域、充电器从降压切换到升压、占空比最高、因此很难正确控制[/报价]

    BQ25756 也是如此。

    不过、一些不稳定可能是由电池负载引起的。 您能告诉我用于 VBAT 上的负载的情况吗? 我知道当电子负载达到其自身的电流限值时、某些电子负载会开始导致输出电流不稳定。

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Ethan:

    以下是其他信号:

    SW1 - GND @ 20A

    SW1 - GND @ 10A

    SW2 - GND @ 20A

    SW2 - GND @ 10A

    IBAT (SRN - SRP)@ 20A

    IBAT (SRN - SRP)@ 10A

    VBAT @20A(在 PCB 的 BAT 连接器处测量)

    有些不稳定性可能是由电池负载造成的。 您能告诉我用于 VBAT 上的负载的情况吗? 我知道当电子负载达到其自身的电流限值时、某些电子负载会开始导致输出电流不稳定。

    我正在使用 EA PSB 10080-60 双向直流电源。 我想到了同样的问题,也 testet wit 一个大的 12S 锂离子电池组显示了相同的波动。  

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    感谢您提供的新信息和新测试。

    我正在使用 EA PSB 10080-60 双向直流电源。 我想到了同样的问题,也 testet wit 一个大的 12S 锂离子电池组显示了相同的波动。  [/报价]

    啊、感谢您的澄清。

    我只找到 EN_CONV_FAST_TRANSIENT 位作为可读位:

    可以看到 TI Charger GUI 不允许您写入此位。 您是否可以访问微控制器或 EV2400 以使用 BQSTUDIO 写入此位?

    此外、我还必须更新 TI Charger GUI 中的 BQ25756、以允许写入此位。 我很快就会尝试完成此操作。 最重要的是,我应该能够在月底之前完成这项工作。

    对于您的示波器图像、我看到了很多过冲。 不过、您是否将探头的接地引线连接到 PCB 的接地端? 这将减小 GND 环路的电感并减少信号上的振铃。

    此致、
    Ethan Galloway

    [/quote]
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    尊敬的 Ethan:

    您是否将探头的接地引线连接到 PCB 的接地端?

    对于 SW 测量、我将 GND 和 SW 连接到与覆铜直接连接且靠近 MOSFET 的测试环路。

    对于分流器测量、我将短导线残桩连接到最靠近 IC 的 MLCC、以及 IC 每一侧的两个分流测量引脚之间的 MLCC。  

    您是否有机会访问微控制器或 EV2400 以使用 BQSTUDIO 写入该位?

    我们未来希望用 ESP32S3 控制 BQ25756、目前正在编写代码来实现这一点。 当我们有一个工作状态时、我们可以尝试使用这个设置该位。  

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    感谢您的更新。

    顺便说一下、我启动了 BQ25756 的 TI Charger GUI 的更新过程、允许写入 EN_CONV_FAST_TRANSIENT 位。 完成此过程后、我会尝试告知您。

    [报价 userid=“630359" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1520054/bq25756-charging-not-starting-with-no-fault-or-error/5866905 #5866905“]

    对于 SW 测量、我将 GND 和 SW 连接到与覆铜直接连接且靠近 MOSFET 的测试环路。

    对于分流器测量、我将短导线残桩连接到最靠近 IC 的 MLCC、以及 IC 每一侧的两个分流测量引脚之间的 MLCC。  

    [/报价]

    听起来像不错的测量结果。 在这种情况下、您可能需要将示波器带宽滤波器设置为 20MHz 或该区域周围。 这将有助于清理示波器显示屏。 高于 20MHz 的信号实际上不会对电路产生太大影响。

    我们希望将来用 ESP32S3 控制 BQ25756、目前正在编写代码来实现

    如果您需要相关的驱动程序代码或示例、请告诉我。

    您可能已经尝试过此方法、但由于改进了充电器的电感器、在 VBAT 上放置更大的电容器是否可以提高性能? 这可能会降低 VBAT 上的纹波。

    此致、
    Ethan Galloway

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    您好、Max、

    对 BQ25756 的 TI Charger GUI 的编辑已完成。 现在、您应该能够使用此 GUI 编辑 EN_CONV_FAST_TRANSIENT 位。

    如果您对此有任何疑问、敬请告知。

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Ethan:  

    在这种情况下、您可能需要将示波器带宽滤波器设置为 20MHz 或该区域周围。 这将有助于清理示波器显示

    到目前为止,我还不能做到这一点。

    我们又遇到了一些问题。 仅上周添加了另一个电感器、我就消除了电流波动带来的所有先前问题。 所以我们总共有 30 μ H、这对我来说似乎太过分了。 我们能够在所有电压区域以 20A(实际为~19.2A)充电。 今天,我们再次测试,它几乎没有工作。 未对硬件进行任何更改。 我们注意到 chargerGUI 收到了更新、因为我们无法加载旧的 JSON 文件以进行配置。 但手动设置所有变量后、我们就开始出现问题了。

    此外、您是否更改了 IAC_DPM 设置? 在我们将限值设置为 50A 之前、现在只可能出现 20A 的电流。 我们仍在输入端使用 2m Ω 分流器、在电池侧使用 5m Ω 分流器。 这是正确的设置吗?

    当我们想要使用 48V VAC 和 42-49V VBAT 充电时、电流就很充足。 对于测试、我们始终以~5-10s 的间隔启用和禁用充电、并观察到充电电流。 有时电流在 17-18A 之间波动,有时在 13-14A,有时我们得到 19.2A,大多数时候它“充电“超级稳定 1.4A,即使我们要求 20A。 当我们从 41V 开始并将电压缓慢升高至 50V 时、问题完全消除。 它在所有 VBAT 电压范围内以 19.2A 的电流完全正常充电。  

    当我们尝试仅在 10A 电流下充电时、问题似乎发生的时间更少、但通常在几秒钟的运行时间后、我们能够听到奇怪的开裂和嘶嘶的噪音。 我们尝试找到源代码、但找不到任何损坏的组件。  

    您是否认为噪声很大的分流测量会影响电流控制? 如果是、为什么设备经常卡在这个奇怪的 1.4A 点? 您建议采取什么措施来降低噪声? 添加电容更小或更高的 MLCC、还是同时添加这两者?  

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    。 我们注意到 chargerGUI 收到了更新、因为我们无法加载旧的 JSON 文件以进行配置。 但在手动设置所有变量后、我们开始出现问题。

    啊,对不起。 这可能是由于更新造成的。 我认为使用新的 TI Charger GUI 创建的新 JSON 文件应该可以工作。

    另外、您是否更改了 IAC_DPM 设置? 在我们将限值设置为 50A 之前、现在只可能出现 20A 的电流。 我们仍在输入端使用 2m Ω 分流器、在电池侧使用 5m Ω 分流器。 此设置是否正确?

    更改了 IAC_DPM 寄存器范围以使用 5mΩ 检测电阻(这是 EVM 上的默认设置)。 2mΩ IAC 检测电阻仍可与 GUI 配合使用。 要确定调整后的电流设置、请将所需的输入电流限制乘以 2/5。 例如、要从 2mΩ 检测电阻获得 10A 电流限制、需要将 IAC 寄存器设置为 4A。

    如果您对此有任何疑问、敬请告知。

    当我们要使用 48V VAC 和 42-49V VBAT 充电时、电流很小。 对于测试、我们始终以~5-10s 的间隔启用和禁用充电、并观察到充电电流。 有时电流在 17-18A 之间波动,有时在 13-14A,有时我们得到 19.2A,大多数时候它“充电“超级稳定 1.4A,即使我们要求 20A。 当我们从 41V 开始并将电压缓慢升高至 50V 时、问题完全消除。 它在所有 VBAT 电压范围内以 19.2A 的电流完全正常充电。  [/报价]

    设置 EN_CONV_FAST_TRANSIENT = 0 是否有助于实现这一点?

    您是否认为噪声很大的分流电阻测量会影响电流控制?

    这是很有可能的。 您能否使用示波器测量 ACP 和 SRP 引脚、以查看这些引脚上有多大的噪声?

    此外、您能给我发送该电路板的布局来方便我查看吗?

    如果是、为什么设备经常停留在这个奇怪的 1.4A 点? [/报价]

    这是一个好问题。 我还没有足够的信息来确定这一点。

    您建议您采取什么措施来降低噪音? 添加电容更小或更高的 MLCC、还是同时添加这两者?  [/报价]

    这将取决于噪声频率。 我认为、为 VAC 和 VBAT 添加一个大容量电容器(例如≈μ F 1000µF 等)可能是开始观察大容量电容器是否会稳定输入和输出的好地方。

    此致、
    Ethan Galloway

    [/quote][/quote]
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    尊敬的 Ethan:

    IAC_DPM 寄存器范围更改为使用 5mΩ 检测电阻(这是 EVM 上的默认设置)。 2mΩ IAC 检测电阻仍可与 GUI 配合使用。 要确定调整后的电流设置、请将所需的输入电流限制乘以 2/5。 例如、要从 2mΩ 检测电阻获得 10A 电流限制、IAC 寄存器需要设置为 4A。

    我已经以为会是这样,但我想确定。

    设置 EN_CONV_FAST_TRANSIENT = 0 是否有助于解决此问题?
    您能否使用示波器测量 ACP 和 SRP 引脚、以查看这些引脚上的噪声大小?

    我将能够在星期一进行测试。  

    e2e.ti.com/.../Charger-V1_5F00_1.zip

    同时、这里是我的设计文件。 V1_1 是我们目前正在研究的。 请注意、我们移除了 SMD 电感器、现在 在外部串联安装了 3 个 74437625201002 Wurth Elektronik 电感器。 之前、我们仅使用了其中的 2 个。 我们增加到 3、因为当我们上周测试时、它允许我们以 20A 的电流充电。 本周,正如已经说,没有改变硬件,它几乎没有工作。 星期一、我还将三重检查设置是否正确、因为我们必须手动设置这些设置。 即使设置与以前相同、chargerGUI 的更新也可能导致此问题吗?

    这将取决于噪声频率。 我认为、为 VAC 和 VBAT 添加一个大容量电容器(如≈μ F 1000µF 等)可能是开始了解大容量电容器是否会稳定输入和输出的好地方。[/报价]

    我可以,也会测试这个星期一。 我们的输入和输出端已经有 4x 330uF (1320uF)。 你认为这还不够吗?

    我希望在星期一晚上给大家所有的测量结果。  

    我将在请求的 20A 时测量以下信号 — 参考:
    ACP - ACN

    ACP - GND

    ACN - GND

    SRP - SRN

    SRP - GND

    SRN - GND

    如果更多/其他人会有帮助,请告诉我。  

    此外、在有关充电电流的测量期间实际发生的情况相关说明也是不错的。 是否从相同的实际电流进行测量很重要? 它不是很可重现、因此可能很难确保所有测量都具有相同的测试条件。

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    感谢您的研究。

    下周我会看一下您的设计文件。 我需要在我的笔记本电脑上安装 Kicad。

    对于您的电感器、当您使用具有较高 DCR 的电感器时、充电器行为是否会发生任何变化?

    即使设置与以前相同、chargerGUI 的更新也可能导致此问题吗?

    否、我看不到更新可能会有什么变化。 我试着检查一下、只是为了确保。

    我们的输入和输出端已经有 4 个 330uF (1320uF) 电容。 您认为这还不够吗?

    这应该足够大的电容。 添加更多电容可能是最好的检查、看看这是否会改变充电器的行为。

    我建议进行以下测量:

    LODRV - GND(此信号将确保正确驱动 FET)

    HIDRV-SW

    SW1 - GND

    SW2 - GND

    BTST-SW(这将确保 HIDRV 具有足够的电源。 如果您看到 HIDRV 工作正常,则可能不需要检查此情况)。

    ACP - ACN(您也可以使用电流探头进行测量)

    SRN-SRP(此处也可以使用电流探头)

    ACN - GND(这将检查该信号上是否存在任何奇怪的尖峰或骤降。 您只需检查一次)

    SRN - GND(这将检查该信号上是否存在任何奇怪的尖峰或骤降。 您只需检查一次)

    DRV_SUP(这将确保 DRV_SUP 足够。 您只需检查一次)

    另外、有关充电电流测量过程中实际发生什么事情的说明也很有用。 是否从相同的实际电流进行测量很重要? 它不是很可重现、因此可能很难确保所有测量的测试情况相同。

    这是一个可以理解的问题。 我想知道在捕获波形时电压和电流是什么。 确保还要注意寄存器设置以及是否设置了任何寄存器标志。

    请告诉我设置 EN_CONV_FAST_TRANSIENT = 0 是否可以改善充电器的行为。

    此致、
    Ethan Galloway

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    您好、Max、

    为了让您知道、我让 Kicad 在我的工作计算机上工作。 感谢您对延迟的耐心等待。 不过、我在布局中没有看到任何明显的问题。 实际上、布局看起来确实做得很好。 下周我会尝试仔细查看原理图

    此致、
    Ethan Galloway

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    尊敬的 Ethan:

    此问题目前已解决。 这是一系列不幸事件造成的。

    上一次、我添加了第三个电感器、最初认为在 20A 电流下一切都正常工作。 实际上、IBAT ADC 已停止运行、始终显示 0mA、可能是由于热空气焊接过程中的损坏或其他一些错误(我在当天没有注意到这一点)。 由于控制环路未接收到有效的电流反馈、它似乎一直盲目推电流、此时恰好为 20A 左右。

    然后、我们在第二块电路板上增加了第三个电感器、开始遇到相同的问题。 回头看看、根本原因似乎是分流测量噪声和电感过大、或者由于靠近电路板放置的额外电感器而可能产生更大的 EMI。

    在切换到具有可正常工作 IC 的电路板、仅使用两个总电感值为 20uH EN_CONV_FAST_TRANSIENT=0 的电感器并设置(这产生了很大的影响)后、我们能够按预期控制一切并达到 20A 目标。

    目前、唯一的小问题是 VBAT ADC 读数始终 比实际 VBAT 低大约 0.5V。 您是否知道该器件是使用分流引脚还是 FB 引脚来测量 VBAT ADC? 即使在禁用充电的情况下失调电压仍然存在、因此我怀疑失调电压是由开关噪声引起的。 如果在 FB 引脚处测量、则偏移可能是分压器中的电阻器容差(I 使用了 1%电阻器)导致的。

    除非您特别需要、否则我想暂时跳过采集示波器数据、以节省时间。

    不过、我在布局中没有看到任何明显的问题。 实际上、布局看起来非常好。

    您是否认为通过更改布局并在分流器与 IC 之间使用短得多的布线可以显著降低分流噪声? 缺点是更多的高电流和高温器件和迹线最终会更接近 IC。我希望、通过更干净的分流电阻测量、我们可以减少对 C 和 L 的需求  

    我正在思考这样的事情:

    我想这肯定是很难说的,但我会感激你的直觉在这.  

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    感谢您的更新和新信息。 我很高兴听到这个问题大部分都得到了解决!

    上次我添加了第三个电感器、最初认为在 20A 时一切都正常工作。 实际上、IBAT ADC 已停止运行、始终显示 0mA、可能是由于热空气焊接过程中的损坏或其他一些错误(我在当天没有注意到这一点)。 由于控制环路未接收到有效的电流反馈、它似乎一直盲目推电流、此时恰好为 20A 左右。

    听起来此 IC 上的 SRN / SRP 引脚已损坏。

    切换到具有工作 IC 的电路板后、仅使用两个总计 20 μ HEN_CONV_FAST_TRANSIENT=0 的电感器、并进行设置(这产生了很大的影响)、我们能够按预期控制一切并达到 20A 目标。

    我很高兴听到这种做法奏效了。

    您知道器件是使用分流引脚还是 FB 引脚来测量 VBAT ADC 吗? [/报价]

    IC 使用 SRN/SRP 引脚来测量 VBAT ADC。 ADC 应用作通用指示器、但 ADC 没有精度规格。

    除非您特别需要它、否则我更愿意暂时跳过捕获示波器数据并节省时间。

    是的、我们不再需要这些测量值。

    您是否认为通过更改布局并在分流器与 IC 之间使用短得多的迹线可以显著降低分流电阻噪声? [/报价]

    让我想一想、然后回到您的身边。 我的直觉是,如果它是工作的,不会调整板. 我认为重新布局的决定将取决于您的其他系统需求。 例如、您是否需要通过使用更小的电感器或电容器来调整成本? 或者、系统是否需要更小的电池充电板?

    此外、您可能能够通过减慢电容的移除速度来测试当前电路板上所需的电容大小。 这样、您无需进行其他电路板布局布线即可节省电容器成本。

    此致、
    Ethan Galloway

    [/quote]
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    尊敬的 Ethan:

    IC 使用 SRN/SRP 引脚来测量 VBAT ADC。 ADC 旨在用作通用指示器、并且没有 ADC 的精度规格。[/报价]

    那么、我是否可以正确理解、VBAT ADC 电压和 FB 电压设置的实际充电终止电压是完全独立的? 我想 FB 引脚上的 ADC 会更准确吗? 或者我是否必须校准每个电路板的目标 FB 电压?

    此致、

    最大值

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    您好、Max、

    那么我是否正确理解、VBAT ADC 电压和 FB 电压设置的实际充电终止电压是完全独立的?

    是的。 VFB 引脚的测量与 VBAT ADC 测量无关。 FB 引脚上的测量比 VBAT ADC 上的测量要精确得多。

    充电电流是相同的。 充电器的电流控制环路比 IBAT ADC 更精确。 此外、IBAT ADC 和控制环路都使用 SRN/SRP 引脚来测量电流。

    我想 FB 引脚上的 ADC 是否更准确?

    是的、正确。 FB 引脚是恒压控制环路的一部分、该环路比 VBAT ADC 精度更高。

    或者我是否必须校准每个电路板的目标 FB 电压?

    您不必为每个电路板校准目标 FB 电压。

    此致、
    Ethan Galloway