工具/软件：
尊敬的团队：
您能否提供有关如何计算与 UCC23514 配合使用 SiC MOSFET 所需驱动强度的公式？
客户希望将 UCC23514 与 2 个 FET 或 3 个 FET 配合使用、但由于尺寸问题、客户无法接受外部 BJT。
系统条件为：54kHz fsw、5.1 Ω rg-on 和 2.55 rg-off、Ciss 2.54nF、Qg 63.4nC、Eon 282uJ。
如有任何其他问题、请随时与我联系、提前致谢。
顺便说一下、我们是否有与 UCC23514 类似的更大驱动强度器件？ 客户不需要 DESAT 功能。
BRS、
Francis
尊敬的 Francis：
分析驱动强度对开关影响的理想方法是使用双脉冲测试。 对于 单个关断和导通周期、您可以在特定的 Eon 和 Eoff 处测量开关的 VDS/Id. 您可以使用这个测得的 Eon FET/FET Eoff 工作热功耗以及导通损耗。
随着驱动强度的提高（栅极驱动器 ROH 越低）、损耗将越低。 如果损耗是可以接受的、还可以看到是否存在明显的开关节点振铃。 这可能会导致 FET 损坏、客户通常会增加栅极电阻以降低驱动强度、从而减少振铃。 您可以微调该外部 Rg、以减少 VDS 振铃、同时尽量不增加过多 Eon。
对于 UCC23514、我已经使用双脉冲测试多次测量它。 我尚未使用它来驱动多个并联 FET、但这将产生在每个驱动栅极之间共享电流的影响。 如果驱动强度较低、则效果与使用栅极电阻器限制从一个栅极驱动器流入一个 FET 的电流相同。
带有 UCC23513 的双脉冲测试示例、Rg=5 Ω
Ch1 = Vgs
CH2=ID
CH3=Igate
Ch4= VDS
Eon 测量：
并联 FET 的关键问题是不应将它们的栅极短接在一起。 由于 Vth 不相等、这将在开关期间导致颈间振荡。 对于单个输出、这可以通过在输出端到每个器件的栅极之间使用足够大的栅极电阻器来实现。
如果您想要使用米勒钳位、则更好的方法是对每个器件使用本地 PNP 强关断功能、因为这会使栅极保持隔离：
由于您实际上无法为并联 FET 使用内部米勒钳位、因此可以考虑使用 UCC23525。 这是 UCC23513 的更新版本、对于低于 12 欧姆的外部栅极电阻器、它具有更强的驱动强度。 对于更大的外部栅极电阻器、UCC23513 仍然是更高驱动强度的理想选择。
此致、
Sean
