[参考译文] LM7480-Q1：在启动时确定电荷泵电容的尺寸、并限制浪涌电流

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1534057/lm7480-q1-dimensioning-charge-pump-capacitance-at-startup-with-inrush-current-limiting

工具/软件：

您好：

根据数据表、

电荷泵 VCAP 所需的最小电容基于 MOSFET Q1 的输入电容。
CISS (MOSFET_Q1) 和 Q2 CISS (MOSFET) 的输入电容。
电荷泵 VCAP：需要最小 0.1 µF；的建议值

CCAP（μ µF）≥ µF x (CISS (MOSFET_Q1)+ CISS (MOSFET_Q2))（μ s）

EVM 使用 100nF：

我们使用压摆率控制来限制浪涌电流、如数据表中所述：

我的问题：实际上、在另一个原理图中、我们使用了另一个 TI 器件 ( TPS1211-Q1 ，具有保护和诊断功能的智能高侧驱动器） 。

有一个类似的 压摆率控制电路：

TPS1211-Q1 的数据表：C1 会在开启期间在 CBST 上产生额外的充电负载。 使用公式 4 计算所需的值  
CBST 值。

CBST > Qg (total)+ 10 ×C1 (4)
其中、Qg (total) 是 FET 的总栅极电荷。

我的问题：是数据表 LM7480-Q1 的公式“ CCAP（μ µF）≥ µF x (CISS (MOSFET_Q1)+ CISS (MOSFET_Q2))（μ s） “ 足够了、还是应该 注意 TPS1211-Q1 的公式？ 在本例中、这会得到较大的 CCAP 值（使用 LM7480-Q1 公式时最小值为 174nF、使用 TPS1211-Q1 公式时最小值为 287nF）。 当然、这些器件并不是真正可比的。

此致、Oliver。