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[参考译文] LM5117-Q1：建议建议所需的技术解释

admin
Guru**** 2372500 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1533767/lm5117-q1-technical-explaination-required-for-suggested-recommendation

器件型号：LM5117-Q1

工具/软件：

您好 EricLee

您能否向我解释一下技术原因、说明下面列出的每一个建议步骤如何帮助减少发射？

  • 使 SW 节点覆铜区更小。  
  • 在低侧 MOSFET 的漏极和源极之间添加 RC 缓冲器。https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZTBC7 
  • 组装一个与低侧 MOSFET 并联的肖特基二极管
  • 使用尽可能减少引脚引线暴露的屏蔽电感器。 在本示例中、引脚引线隐藏在底部。  
  •  在 SW 节点处找到电感器的“导“（或“条“）方向。  
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    TI__Guru**** 2372500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Sambit 你好  

    • 使 SW 节点覆铜区更小。 ==>这可以减少噪声 SW 节点与大地之间的耦合
    • 在低侧 MOSFET 的漏极和源极之间添加 RC 缓冲器。https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZTBC7 =>这样可以更大限度地减少 SW 上的振铃  
    • 将肖特基二极管与低侧 MOSFET 并联==>这也会通过减少低侧的反向恢复电荷来减少 SW 节点的振铃。  
    • 使用尽可能减少引脚引线暴露的屏蔽电感器。 在本示例中、引脚引线隐藏在底部。 ==>它尽可能用屏蔽层覆盖有噪声的 SW 节点。  
    •  在 SW 节点处找到电感器的“导“（或“条“）方向。 =>“ 导线“表示电感器的内侧导线、该导线被其余导线包围。 如果导线被其余导线包围、则屏蔽效果会更大。   

    - EL