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[参考译文] BQ40Z80:30A 后的 MOSFET 发热

Guru**** 2373240 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z80, CSD18540Q5B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1530673/bq40z80-mosfet-heating-after-30a

产品型号:BQ40Z80
主题中讨论的其他器件: CSD18540Q5B

工具/软件:

我目前正在使用 BQ40z80 来设计电路板。施加的负载最大为 60A。 我使用了推荐的 MOSFET CSD18540Q5B、该器件根据数据表支持 29A 连续漏极。 因此、我已在每个栅极添加了 3 个与 10 Ω 电阻器并联、并从 IC 的 DSG 引脚添加了 4.02k Ω 电阻器。

在电路板上有这些元件时、MOSFET 开始在 35 - 40A 的放电下升温、温度会达到 85 - 90°C。 因此、如果 3 个 MOSFET 并联、那么对于这样的负载、它不应该发热、因为我希望它能够处理 60A 的最大连续电流。 如果需要、可以私下共享设计文件。

我是否需要改变 DSG/CHG MOSFET 的电阻器/电容器以使其支持更高的电流?

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    您好:

    这一讨论被移至原来的趋势。

    谢谢您、
    Alan