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原理设计如上图第一张图片、用于输入电压掉电监测、输入电压用电阻分压做TLV803的输入电压、R1和R2都是1M电阻。μ s
1、第2张图片是丝印21 年份的芯片、产地为Thailand、输入电压在DC16V、TLV803第3脚输入VDD是2.86V、低于2.93V、输出RSTN为低。Ω
2、第3张图片是丝印24 +年份的芯片、产地为Philippines、不能按1正常输出、输入电压在DC16V、TLV803第3脚输入VDD在5.62V、相差比较大。Ω
第4张图片是芯片内部结构图、请问芯片内部结构 电阻是否有变化?μ s