请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ28Z610-DEVICE-FW 主题：BQSTUDIO 中讨论的其他器件
工具/软件：
大家好、Alan 和 TI 支持团队
我在新电路板上成功执行了 ChemID 设置、在学习循环期间一切都进展顺利。 我正确配置了数据存储器并开始充满电阶段。 在电池充满电且弛豫阶段完成（更新状态和 QMax 正确更新）后、系统就已准备好进入放电阶段。 但是、一旦我拔下充电器开始放电、电量监测计 IC 就会再次断电。
我怀疑这个问题可能与位寄存器的更改有关。 最初、FET 在FET_EN提前发送命令后按预期运行。 在完全充电和弛豫阶段之后、该RDIS位被清除、捕获了 OCV、并且系统准备好在放电期间更新电阻表。 由于此时 IC 断电、因此必须手动禁用FET_EN并发送DSG_FET_TOGGLE命令以开启 DSG FET。 这是工作的,我确认 Ra 表正在更新.
但是、在放电达到终止电压后、DSG FET 会关断、IC 会再次断电。 因此、最终的弛豫阶段无法完成。
我还注意到一些可能有助于诊断问题的内容。 最初、当 IC 正常工作时、我测量了 PBI 引脚（引脚 10）上的电压、并与 VC2（引脚 11）上的电压匹配。 但发生功率损耗时、PBI 上的电压降至 0V 或浮动值（约 0.5V）。 这表明 VC2 和 PBI 之间的内部连接可能会受到影响、这可能是由于寄存器配置造成的。
您能帮助我解决这个问题吗？ 这是相当耗时的、并且妨碍了学习周期的成功完成。
再次感谢您的持续支持、
