[参考译文] LM706A0-Q1：IBB 配置中的开关节点参考平面

您好 Ben、

鉴于最近 在使用屏蔽式电感器时出现的文章、建议在电感器下方（包括同一层）覆铜。  随着使用屏蔽电感器时尽可能减少漏电流、增加这些覆铜的共识日益普遍、前提是制造商准确报告了屏蔽能力。

通常、涡流也会抵消、但不是 100%。 使用屏蔽电感器时、涡流不太重要。因此、我们回到了开始阶段。 最佳方法是什么？ 请注意 TI 提供的以下图片。

LMQ61460 EVM 不去除同一层上电感器下的覆铜、并在 L2 上具有实心接地平面。

我同意 SW 节点-Vout 参考平面、IBB 配置。 我有一个非常高密度的 PCB、空间非常宝贵。 我想封装开关电感器基准节点、如上例所示。 唯一的区别是平面基准为-Vout、所示的情况是标准 BB 配置的 GND。

感谢任何建议或见解。

谢谢您、

David

您好、David：

一般来说,涡流也会抵消,但不是 100%。 使用屏蔽电感器时、涡流不太重要。因此、我们回到了开始阶段。 最佳方法是什么？ 请注意 TI 提供的以下图片。

我正在构建一个特定于 IBB 的 EVM、并且我已移除电感器下方的覆铜。 我使用的电感器是模塑版本。 我还了解到、在屏蔽式电感器下方添加覆铜不会对电感器的电感产生任何影响。 因此、如果要在电感器下方添加覆铜、具体取决于您是否要。

对于我要构建的 IBB EVM、我需要构建一个适用于所有电感器的 EVM。  

Ben

您好 Ben、

非常感谢您的建议。 在我展示这两个示例时、请告诉我您的想法。

使用 BB 配置（左侧）、我看到了输出电感器节点用 GND 包络的设计、黄色。 第 2 层平面是实心 GND。

在 IBB 配置（右侧）下、由于-Vout (N15V) 位于电感器的开关节点 (N15V_SW) 旁边、我不确定这是否有效或明智的想法、即浅棕色。

在 IBB 配置中、SW 节点以-Vout 为基准、N15V_SW 下的平面（第 2 层）是否 应为 GND 或-Vout (N15V)？

这些电源轨 为一些 A2D 电路供电、我想更大程度地降低噪声。

我们非常感谢任何建议和见解。 我使用的是最终布局。

谢谢、

David

您好、David：

我会选择右侧的布局、其中 VOUT 围绕 SW 节点。 我会将 SW 节点与 VOUT 隔开、这样电容耦合会稍少一些。 下面是我正在处理的 IBB EVM 的一个片段。 如您所见、我没有用 VOUT 加密 GND、但在您的情况下可能会有所不同。  

在此布局中、输出电容器位于 EVM 的顶面。

Ben

您好、David：

只需联系您、询问您是否有任何其他问题。 如果未解决、请点击“已解决“关闭该主题。 谢谢！

Ben

您好、David：

再次与您联系。 如果没有其他问题、请关闭主题。 谢谢您、

Ben

您好、David：

是否有任何更新？

Ben