[参考译文] BQ40Z80：DSG FET 正在烧写

您好：

何种类型的布线覆铜以及如何进行电路板层叠以适应当前使用的情况。 需要注意的另一点是、与控制 FET 的开路和闭合方式相比、电量监测计对负载的热量处理方式没有影响。 似乎限制可能来自 FET、但最有可能来自电路板层叠。

谢谢您、
Alan

您好：

它是 MOSFET 区域上完整的覆铜（长度为 11.55mm、宽度为 18.55mm）。 是的、我得到了测量仪表没有加热器件、用于控制 FET。 该 FET 为  CSD18540Q5B。 堆叠层为 2oz 铜、4 层具有电源+信号、电源+信号、电源、电源+信号。 MOSFET 填充区域不受干扰。 加热仅来自 MOSFET 区域、而不是来自电路板的其余区域。

*电源（正极和接地）。

您好：

您是否有原理图来验证连接是否正确完成。

谢谢您、
Alan

您好：  

是的,可以以私人方式发送它已发送请求,请接受。

您好：  

是的、想知道加热的原因。  
而且、
1.是否可以从 BQ40z80 中了解 MOSFET 的开关频率
2.栅极到 MOSFET 的布线长度是否会影响并联 MOSFET 的电流消耗? 如果是、是否可以更改电阻值以保持类似的时序？

您好：

1. 从 BQ40z80 中了解 MOSFET 的开关频率
[/报价]

无法更新测量仪表侧的开关频率

栅极到 MOSFET 的布线长度是否会对并联 MOSFET 的电流分布产生影响？ 如果是、是否可以更改电阻器值以保持类似的时序[/报价]

-这将更好地指向 TI 的 FET 团队,但你确实需要观察栅极上的阻抗,这是基于布线。  

谢谢您、
Alan

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您好：  

当然、它会有所帮助。