[参考译文] LM5122：原理图和布局审查

您好 Joao、

感谢您使用 e2e 论坛。
很遗憾、我无法打开 kicad_pcb 文件。 但是、根据您所附的图片、我已经对布局进行了概述。

以下是我的评论:
原理图：
-不使用输入电容器。 强烈建议您执行此操作以实现稳定的输入电压
-要仔细检查补偿是否已经优化,我建议使用我们的快速入门计算器: https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC
（此计算工具最近进行了更新，以提供更好的薪酬价值建议。 目前、结果不再与数据表匹配、因为数据表更新需要更长时间。 数据表中的所有其他公式不受影响。）

布局：
-看起来您主要使用外层作为 VIN 平面。 我强烈建议将大面积区域设置为 GND 平面。 这可以降低整个电路板的噪声水平、并有助于热管理。
-从 VOUT 电容器到 FET 的 GND 连接的环路非常短、这很好、但输入环路相当长（CIN 电容器->电感器-> MOSFET -> GND -> CIN 电容器）
在添加输入电容时、请考虑这一点。

如果您对布局这样的设计经验有限、我强烈建议您采用现有的设计作为参考、因为它们已经过验证、并且已经过功能性验证。
我可以推荐这种设计。 （Vout 较低，但功率级别相似）
https://www.ti.com/tool/PMP21274

此致、
Niklas

您好、Niklas、
感谢您如此快速地提供反馈。
-我遵循了数据表中的值、使用了 4 个 3.3uF 电容器 (C31-C34)。 这些还不够吗？
-感谢大家对公式的关注,我将重新计算这些值。
-我会将 BAT+平面转换成 GND 并使用覆铜为 IC 布线 VIN
-我将遵循提供的参考设计作为组件放置的指南。

此致、
Joao

您好 Joao、

谢谢您的纠正。 似乎我忽略了 C31-34 的帽子。
在升压应用中、由于开关节点位于电感器之后、因此输出往往需要比输入更多的电容器。
但是、由于本设计的额定功率为 150W、因此 13uF 的输入电容确实相当小。
我建议在输入侧放置一个额外的大容量电容器。 （例如 47 μ F 或以上）这将避免在强瞬变期间输入电压下降。

如果您在实施更改后需要额外审查、请随时与我联系。

此致、
Niklas

您好、Niklas、

感谢您提供有关输入电容器的指导。

另一个注意事项是、我们的供应商出现了问题、我们将无法使用所选的输出大容量电容器（3x 330uF、59m Ω）。 我知道、对于此应用、低 ESR 是理想的选择、但可接受的值是多少（有多高）？ 理想电容值是多少？

再次感谢、

Joao

您好 Joao、

感谢您的反馈。

如前所述、低 ESR 陶瓷电容器非常适合滤除开关噪声。
添加的陶瓷电容越多、输出电压纹波就越低。

但是、由于电容值较低、陶瓷电容器不足以应对负载或输入电压的快速瞬变。
因此、我们建议组合使用陶瓷电容器（用于减少输出电压纹波）和大容量电容器（用于抑制瞬态过冲）。

关于合适的电容值、我建议使用我在前面的回复中提到的快速入门计算器工具。
此工具根据您设置的输出电压纹波目标显示了 Cout 建议。

此致、
Niklas