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器件型号：LMG1210 工具/软件：
尊敬的团队：
我目前正在从事使用 LMG1210 栅极驱动器的设计工作。 我已经阅读了 LMG1210（同步自举）的应用报告 SLUA931。 我想知道的设计计算结果 使用 GaN FET 的同步自举 所述的外形尺寸。
参考随附的图、请告诉我如何为 同步自举设计电阻器、电容器、二极管。
您好：
该电路取自 EPC9066 设计 https://epc-co.com/epc/Portals/0/epc/documents/schematics/EPC9066_Schematic.pdf
您所附的原理图有一个拼写错误。 与 BAT54 二极管并联的 20k 电阻器应为 20 欧姆。
当 LO 引脚为高电平时、同步自举 FET 的栅极通过 R45 充电。
C45 将栅极推至比 5V 电源轨高 5V) 当 LO 变为低电平时、栅极通过二极管 D45 快速拉回 5V（自举器件上为 0 VGS）。 因此、自举 FET 会在 LO 导通时导通、在 LO 关断时关断
自举电容器在低侧导通时的充电速度要快得多、因为它是通过导通的 FET（而不是通过二极管）充电的。
由于 GaN 在“二极管“反向导通中没有少数载流子、因此也没有 Qrr。
R44、C41 和 D41 是一款用于调节 HB 电压的简单并联电压稳压器电路。
C45、R46 和 R45 设置自举 FET 的导通和关断时间。 需要对这些值进行平衡、以使 自举开关不会过快导通、而是尽可能快地关断。 这是为了防止 由于负 HS 电压或 GaN FET 在死区时间内导通而导致过充。
此致、
Walter
您好、Athira、
D41 是大多数 5.1V 击穿齐纳二极管、对分流电路具有足够的电流处理能力。 突出显示的部分是示例中使用的部分。
D44 和 D45 可以是快速小信号肖特基二极管 30V 至 40V、200 –600mA。 ~300mV 正向压降。
谢谢、
Walter
