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器件型号：TPS7H4010-SEP 工具/软件：
1.安装在 TPS7H4010-SEP 上的 FET 是垂直结构还是水平结构？
2.您说过耐辐射性得到加强,但与传统产品相比,采取了哪些具体措施?
例如、您是否使 FET 的栅极氧化层变厚、或者使栅极氧化层中的电子更难从电极中逃逸？
3.当氧化膜或 Si-SiO2 接口状态下捕获正电荷时,阈值电压和电流会发生变化。 如果通过施加栅极电压将电子和空穴结合在一起、则正常操作似乎会返回、但为什么不会发生这种情况？
4.当我检查内部电路时,我发现除了 FET 外,还安装了一个 EA 和一个运算放大器。 这些 FET 是否可能断开？
5.是否还有其他可能的原因?
6.请告诉我是否有反措施。
