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零件号：LMG3527R030 工具/软件：
您好：
我对并联 GaN 功率半导体以在硬开关应用中提高功率有疑问。
TI 建议 使用去耦电感器（约 1uH）连接并联半桥开关节点的中心抽头。 栅极信号和电源电压必须通过分立式隔离器进行布线。
如果不是使用半桥构建电路（例如，不带同步整流器的升压转换器）、建议使用并联连接的方法是什么？
在这种情况下、是否有任何关于“硬“并行连接的建议？
提前感谢大家
Martin
