Thread 中讨论的其他器件：UCC28C43、 UCC27714、 CSD19502Q5B
工具/软件：
大家好、μ s
我一直在研究一种 μ s 推挽式转换器、使用 UCC28C43 作为控制器、UCC27714 作为高速栅极驱动器 Ω 、目标是 100W 隔离式直流/直流设计。尽管布局和零件选择都很仔细、但我仍在 努力解决 Ω 200MHz 左右的持续峰值和 Ω MOSFET 在满负载下过热 Ω 的问题。μ s
MOSFET（__LW_AT__MOSFET）：Ω 在初级侧使用 Ω CSD19502Q5B（__LW_AT__TI NexFET、Ω 100V、低 Ω RDS（Ω ON））、在100kHz 左右进行开关。Ω
变压器：μ s 定制绕组、泄漏为 ó n 1μH（测量）、使用紧密耦合、但在示波器上仍然会出现可见的泄漏尖峰。ó n
观察到的问题：μ s
1️⃣ μ s 180–250MHz 附近的 EMI 尖峰：
使用近场探头、我看到可重复的尖峰与变压器漏振铃和开关边缘对齐。μ s
2️⃣ μ s MOSFET 外壳温度在 80W 负载下超过 85°C 、即使有散热器和强制气流、这引起了对热裕度和长期可靠性的担忧。μ s
3️⃣ μ s 添加缓冲器有助于 Ω EMI、但会增加开关损耗 Ω 、从而推高温度。μ s
4️⃣ μ s 屏蔽改善了 Ω EMI、但提高了热阻 Ω 、导致 Ω MOSFET 进一步发热。Ω
到目前为止采取的调试作：μ s
在初级上添加了 RCD 缓冲器：100Ω、1nF、快速恢复二极管。 输入 π 滤波器：10μH 低+ 47μF 电容。ESR Ω Ω UCC28C43 上的扩频（调制频率在±5%以内）略微降低了 EMI 峰值。Ω 改进的地面分区、受控的星点、阻力小。μ s
然而、Ω EMI 和热管理之间的平衡仍然具有挑战性。Ω
向 E2E 专家提出的问题：
μ s 如何在不过度增加开关损耗的情况下有效减少漏感振铃？μ s
μ s 是否推荐了在推挽拓扑中使用 UCC28C43调整缓冲器的首选方法？器件选型
μ s 关于使用 Ω UCC27714 优化死区时间以最大限度地减少交叉传导、同时避免恶化的慢速边沿、是否有任何指南？Ω EMI Ω
μ s 是否有推荐的布局或屏蔽策略、用于使用 CSD19502Q5B 处理高 dV/dt 来处理高 dV/dt、同时有效管理热路径？dV/dt
μ s 是否有人使用有源箝位技术与 Ω UCC28C43 推挽技术同时解决漏电能量和 Ω EMI 问题？Ω
其他上下文：μ s
-
输入电压：标称 24V（__LW_AT__18–30V）μ s
-
输出：12V、最大 8A
-
开关频率：100kHz 固定 μ s
-
环境温度：测试期间 25°C、强制气流为~2m/s
除了 SLUA551 或 TIDU261 之外、关于 使用这些 TI 器件实际调试 EMI 和推挽式热问题 的任何见解、参考设计或应用说明将不胜感激。μ s
感谢您的帮助！μ s
