主题中讨论的其他器件:UCC2803、UCC2802
工具/软件:
您好:
我们使用的是 UCC2803 反激式控制器 IC。
关于启动电路,你能帮我一个不同的方法除了使用电阻分压器和电容器充电,为 UVLO 电容器充电所花费的时间会更长,因为我们使用高阻值的电阻器。
是否有不同的方法来消除这种担忧!
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工具/软件:
您好:
我们使用的是 UCC2803 反激式控制器 IC。
关于启动电路,你能帮我一个不同的方法除了使用电阻分压器和电容器充电,为 UVLO 电容器充电所花费的时间会更长,因为我们使用高阻值的电阻器。
是否有不同的方法来消除这种担忧!
您好、
R5、R3 和 D9 电压必须平衡。 D9 VF = 0.3V(大致)、当 Q2 将关断时、R3 无法流过电流以使电压接近 2V、而 R5 没有电流。 如果假设 R3 电压为 1V、则 R5 电压只能为 1.3V、V (R5)= V (R3)+ V (D9)= 1V +0.3V。 因此、只要 BSS126 可以维持、R5 = 1k 都只允许 1.3mA 电流流动、无论 Vin 是高电平还是低电平。
您好:
1、根据建议的 BSS126、我对 MOSFET 的功率耗散有疑问。
流经 R5 的电流是来自 MOSFET 源极的电流。 本例中的最大输入电压为 500V。
因此、MOSFET 的功率耗散为 (500V)*(1.3mA)、为 0.65W、对于该 MOSFET 而言将非常高。
请您就此提供反馈。
此外、根据 EP 数据表、我看到启动到停止迟滞最小值为 0.2V。

如果我们考虑这一点、那么 VCC 电容器在启动 10ms 时需要处理 0.2V 的压降、并且 10mA 的 VCC 电流将非常高 (~500uF)。
请您就此提供反馈。
您好、
1.,
其 SOA 允许 1.3mA 在 500V 且接近直流的一段时间内以 500V 电压流动。在我们的设计中、时间约为 200ms、所以可以接受。 如果您的设计也具有相似的 1.3mA 持续时间、则基于其 SOA 可以接受。

2.、
不确定您为何选择 UCC2803、但如果需要考虑这一点、一种方法是使用具有大迟滞的 UCC2802。 或者添加外部电路来扩展迟滞。 例如、您可以延迟关断 Q2、直到 VCC 达到高于 4.5V。 您的案例中应该使用 UCC2802。
您好:
1.漏极电流在 1.3mA 的 SOA 曲线内,但是我们是如何达到 Vth (Q1) 值的?
在 BSS126 数据表中、我将得到 Vth (off) 电压从 1.6 变为 2.7V。 您能告诉我们、在计算电流时、我们将什么值指的是 1V? 因为我们需要考虑 Vth 范围来计算最大功率耗散。
2. 在我们的情况下,我们不使用 VREF 关闭 Q2 ,我们使用 Vaux 电压关闭 Q1 ,以确保一旦 Vaux 启动,我们就关闭 Q2。
我们的场景是、当电容器充电至 3.7V 时、UCC2803 会导通、因为这是最小启动阈值、根据迟滞、它会在 3.5V 时关断、因此我们必须将能量存储在电容器中达 4ms(即启动时间)。
您好、
1.,
我们需要大约 1.3mA、在 1V 时、ID 可以靠近 4mA、因此 BSS126 可以让 1.3mA 流动。 然后、我们使用 R3 和 D9 设计外部电路、以使该 Vgs 接近 1V、因为如果大于 1V(例如 1.5V)、BSS126 将开始停止流动电流、因此无法获得 1.5V、此整个 1.3mA 会保持流动、直到 VREF 导通 Q3 或 VDD > 23.5V。

2.、
好的、您需要设计外部电路来帮助使用更小的 VCC 电容器来处理此器件的小迟滞。
您好、
R5 =电压 (R3)+ VF (D9)、VF (D9)= 0.3V、然后 V (R3)= V (R5)- VF (D9) 上的电压、因此当 V (R5)> 1、3V 时、V (R3)> 1V、Q2 接近关断、因此较低的电流将流过 Q2 通道、但当 V (R5)< 1V 时、使 V (R3) 的电流增加、使更多流流流过 1.3V 通道返回。 因此、选择 R5 = 1k 可以得到大约 1.3mA。
R3 = 1M 用于帮助控制 R3 上 1V 电流(电流也来自 Q2 通道)在 1uA 下的电流。 因此、如果您使用 R3 <!M、则会有更多电流流经 Q2 通道。 我们决定使用 1uA 来减少损耗。
