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[参考译文] TLE4275-Q1:TLE4275QKTTRQ1

Guru**** 2454730 points
Other Parts Discussed in Thread: TLE4275-Q1, LM2936Q-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1543599/tle4275-q1-tle4275qkttrq1

器件型号:TLE4275-Q1
主题: LM2936Q-Q1 中讨论的其他器件

工具/软件:

您好、

这与 MPN - TLE4275QKTTRQ1 有关。 我有以下疑问:

 

  1. MPN(旧芯片和新芯片)应符合 RoHS 标准、无需豁免。
  2. 无铅包含必须小于 0.1%(对于旧芯片和新芯片)
  3. 您会建议使用哪个器件来使用新芯片或旧芯片、或者我可以使用其中任何器件
  4. 您还能告诉我这两款芯片的确切 TI 器件型号吗?
  5. 旧芯片和新芯片所需的最小和最大输入电容器是多少。
  6. 新芯片中是否存在任何反极性保护(如数据表中所述)、该保护仅针对旧芯片而提及。 请确认。
  7. 什么是结关断温度?旧芯片的热关断迟滞是多少?
  8. 旧和新芯片是否有过压保护? 如果是、什么是过电压?过电压持续时间是多久?
  9. 您能否提供新芯片的电流消耗与输出电流@VIN = 13.5V 间的关系数据。
  10. 您能否提供旧芯片和新芯片的电流消耗与输出电流@VIN = 36V 间的关系数据。
  11. 您能否提供旧芯片和新芯片的压降电压 (VDO) 与 IOUT@VIN = 13.5V、@125°C 和 25°C 之间的数据。

 

注:仅当 MPN 完全符合 RoHS 要求且无豁免且含铅量小于 0.1%时、请提供上述所有数据。

此致、

Ajay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ajay:

    1. 我们的  TLE4275QKTTRQ1 材料成分搜索列表表明器件符合 RoHS 标准。
    2. 同一工具表明导联含量低于您提到的 0.1%阈值。
    3. 展望未来、随着旧芯片器件库存耗尽、将仅制造新芯片器件。 对于新设计、我建议使用新的芯片规格。
    4. 旧器件没有特定的可订购器件型号。 您可以专门订购新的芯片器件、从而确保收到的库存根本不包含旧器件。 对于 TLE4275QKTTRQ1、可以订购新芯片预量产器件 PTLE4275QKTTRM3Q1。 器件型号中的-M3 后缀仅表示新芯片器件。
    5. 旧芯片不需要输入电容器、但可以通过 1µF 或更大的输入电容来提高性能。 没有为新芯片或传统芯片指定最大输入电容。  
    6. 如数据表中所述、新芯片器件不具有反向电流保护功能。 如果您的应用中需要反向电流、则建议使用外部保护来保护器件
    7. 旧芯片不提供数据。
    8. 两种器件都没有过压保护。 引脚电压必须限制在绝对最大额定值表中列出的电压、以避免对器件造成永久损坏
    9. 请参阅图 5-16
    10. 旧芯片的数据不可用。 新芯片 IQ 应与以下内容类似:
    11. Vin=20V 的数据是我们得到的最接近的测试条件。 有关新芯片、请参阅图 5-21。 旧芯片的数据不可用

    此致、

    Alex Davis

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Alex、

    感谢您的意见。

    除以外、所有其他疑问均已消除

    9、我无法看到你在前一个答复中分享的曲线。 您能否分享您参考此曲线的数据表? 请查找我所指的数据表的以下链接。 在这种情况下、电流消耗仅适用于旧芯片。 请检查一下

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tle4275-q1.pdf?ts = 1753247207694&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    再问一个问题、由于此器件会受到 60V 的负载突降影响、因此该稳压器是否能够承受这种负载突降情况?

    此致、

    Ajay

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    您好 Alex、

    如果此器件无法承受负载突降情况、那么您能否推荐一些具有类似规格且采用 60V 器件相同封装的其他器件。

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    尊敬的 Ajay:

    遗憾的是、我无法分享源数据表、只能分享曲线本身。 图像文件的链接位于: pastedimage1753218929606v1.png (580×414)

    新芯片 TLE4275-Q1 器件具有 40V 的绝对最大输入电压额定值、而传统芯片具有 42V 的绝对最大输入电压。 60V 输入电压超过此值、可能会对 LDO 造成永久损坏。  

    LM2936Q-Q1 是唯一具有 60V 或更高绝对最大额定值的 KTT 封装 LDO、但它仅具有 50mA 输出额定值。  

    此致、

    Alex Davis