[参考译文] LM5176：原理图审阅

尊敬的车文：

（在下面的列表中，应再次检查的项目已标记为粗体）（注意：此处保留其他信息以概述已检查的项目）

快速入门计算器：

• 注意：我没有检查所有值以匹配原理图、快速入门计算器中的值是用于检查的参考值
• 斜率补偿远低于建议值
• 相位裕度有点低、但还应在实际设计中进行检查以将所有寄生效应考虑在内
• 对于最低输入电压，估计的电感器损耗非常高 — 这会使电感器过热
• 此外、MOSFET 中的损耗预计也非常高
• 电感器峰值电流为~ 31A、但电感器饱和为 32A、这已经非常接近

原理图：

（在下面的列表中，应再次检查的项目标记为粗体）  

• VISNS 下为 2k 的串联电阻（如果 Vin > 40V、则是必需的、但建议在所有条件下使用、因为 VIN 在突发期间也会增大、仅 LM5176）
• BIAS 已连接 — 不确定 DCin 的位置
  如果不使用 BIAS、则连接到 GND 或 VIN（请勿保持开路）- BIAS max = 40V！
• 模式：允许的电阻器
  (LM5176 仅 93k1200k 或 Vcc)
• VCC 处的电容
  VCC 处的电容足够大 — 检查与引导电容器的比率（至少 5 个）

• SW1 和 SW2 上的缓冲器  
  在 SW1 和 SW2 上放置缓冲器的空间
   （然后，由于 EMI 等原因，可以在需要时填充它们，而不更改布局）
  注意：缓冲器 R 连接到 GND、而不是电感器、以实现更好的热性能

• 缓冲器连接到 PGND、而不是连接到检测电阻
  ->请勿连接到检测电阻、以避免缓冲器电流注入检测信号
• 在 MOSFET 栅极信号线中添加串联电阻
• （然后可以在需要时更换它们（例如由于 EMI）、而无需更改布局、
  附加选项：并联一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
• 栅极电阻器<= 5 欧姆
• MOSFET 的额定电压
  （建议裕度为 30%）
• 从 LM5176 进行电流检测 (CS/CSG) 使用开尔文连接
• CS/CSG 处的滤波器： Tau < T/200
• EN/UVLO 处的电容
  在 EN/UVLO 的低侧电阻器上添加电容器有助于避免启动纹波、尤其是选择极低的启动电压
• 相对于最低输入电压的 UVLO 设置
  UVLO 设置为 6V、但工作范围从 9V 开始 — 相对较大的距离

• ISNSP/N 在未使用时短接并连接到 GND

• 选择建议用于斜率补偿的电容器。 最好是下一个较低值、而不是较高值（=更多斜率补偿）
• 请检查整个范围内的相位裕度（建议> 60 度）

布局（仅供参考）

（在下面的列表中，应再次检查的项目标记为粗体）

• 靠近引脚的 VCC 电容器
• AGND 和 PGND 连接在散热焊盘上 — 是
• 散热焊盘中的过孔：散热焊盘可以获得更多过孔、以更好地分配 LM5176 的功率损耗
• AGND 岛
   -> AGND 电源区域有助于避免注入 AGND 相关元件中的干扰
• 与 CS/CSG 检测电阻的开尔文连接 -> CSG 应具有专用导线至检测电阻、而不是通过接地平面
• 与 ISNS+/-检测电阻之间的开尔文连接（如果不使用，则短接至 GND）
• HDRV1/SW1 的小电流环路（此导线封闭的区域应尽可能小-最好使两者都相互叠加）
• HDRV2/SW2 的小电流环路（由这根电线包围的面积应尽可能小-最好使两者都相互叠加）
• 接近 MOSFET 的输入电容
• 接近 MOSFET 的输出电容
• FB 分压器接近 LM517x

PDF 链接：
有关布局的其他信息可在此处找到：

(1) 四开关降压/升压布局提示 1：确定布局的关键器件

(2) 四开关降压/升压布局提示 2：优化功率级中的热环路

(3) 四开关降压/升压布局提示 3：将差分检测线路与电源平面分离

(4) 四开关降压/升压布局提示 4：栅极驱动和返回路径布线

此致、

 Stefan