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器件型号：UCC28C43工具/软件：
您好的团队、
调试时 经典电流模式 PWM 控制器 在中 推挽式拓扑 、我注意到 MOSFET 栅极信号上有明显的高频尖峰、有时会达到电源电压的近一半、从而导致异常发热和 EMI 增加。
症状：
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上升沿 μ 下降沿期间栅极上的尖峰（μ s <）μ s
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MOSFET 明显发热 Ω
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在 Ω EMI 测试期间观察到高频噪声 Ω
我尝试过什么：μ s
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优化栅极电阻阻尼 μ s
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保持驱动器接地路径短而粗 μ s
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考虑漏感和寄生电容 μ s
但是、峰值仍未解决。μ s
寻找见解：μ s
1️⃣ 推挽式架构中这些峰值的根本原因是什么？μ s
2️⃣ 漏感和控制器死区时间设置是否有影响？μ s
3️⃣ 如果无法更改控制器、有哪些实用的缓解方法？μ s
任何分享的实际经验或示波器波形分析方法将不胜感激！μ s
