请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：UCC21750主题中讨论的其他器件： UCC23525、 UCC5350、UCC21330、UCC21550
工具/软件：
TI 团队大家好、
我目前使用的是 CoolMOS MOSFET （例如，IPW60R041P6） 单相 230V RMS 逆变器 器件。 这些器件具有 高栅极电荷 (~250nC) 、我将探讨栅极驱动器的各种选项。
查看过的产品 UCC21750 、主要用于销售 SiC 和 IGBT 应用 包含 ±10A 驱动强度。
-
我的理解是 CoolMOS 器件 不需要 DESAT 保护 通常不需要 负栅极偏置 。
-
但是、UCC21750 提供类似的功能 有源米勒钳位 、 增强型隔离 、和 隔离式模拟传感、 这看起来很有用。
我的关键问题是：
-
UCC21750 是否可以 在不使用 DESAT 保护或负偏置的情况下安全有效地驱动 CoolMOS
MOSFET？ -
是否存在任何功能限制或设计注意事项（例如，可靠性，开关性能，栅极过冲）？
-
TI 是否会建议在此应用中使用驱动器、或者是否有特定的注意事项或建议设置（例如，使用 UVLO，米勒钳位）？
如果有实际指导或类似使用案例、请提前感谢！
