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[参考译文] BQ25756：适用于高功率设计的栅极驱动器能力

admin
Guru**** 2451630 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25756, BQ25820

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1537480/bq25756-gate-driver-capability-for-high-power-designs

器件型号：BQ25756
Thread 中讨论的其他器件： BQ25820

工具/软件：

团队、

我的客户正在使用 BQ25756 评估高输出功率设计 (500W)。 工程师需要知道这款器件的栅极驱动能力是否足以支持两个高侧和两个低侧 MOSFET。 请提供您的意见。 谢谢！

设计规格：
电源：24V
系统+电池充电：12V/500W
MOSFET PN：NTMFS5C628NL

此致、
Sam Ting

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    TI__Guru**** 2451630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Sam、

    12V 时的功率为 500W、电流为 41.67A。该器件安装到 PCB 上时的额定电流为 28A。 通过两个高侧和两个低侧、您是指在设计中每个栅极驱动器连接 2 个 MOSFET、从而总共连接 8 个 MOSFET 吗？

    此致、
    Michael

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    TI__Guru**** 2451630 points
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    您好、Michael：

    请参阅下面的简化原理图。 在 DPM 期间、电池放电以支持系统负载。 还是我们有其他解决方案？ 它们可能更合适。 谢谢！

    此致、
    Sam Ting

  • 0
    TI__Guru**** 2451630 points
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    您好、Sam、

    我认为这个 MOSFET 应该没问题。 该操作的开关频率是多少？

    BTW、如果您要在电感器输出侧使 MOSFET 短路并开路、我建议使用 BQ25820。 这是一款与 BQ25756 引脚对引脚和寄存器对寄存器兼容的仅降压器件。

    此致、
    Michael

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    TI__Guru**** 2451630 points
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    Michael、

    感谢您的支持！

    此致、
    Sam Ting