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[参考译文] LMG3422R030:关于设计指南:TIDA-010210

Guru**** 2430620 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-010210

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1542109/lmg3422r030-about-design-guide-tida-010210

器件型号:LMG3422R030
主题中讨论的其他器件:TIDA-010210

工具/软件:

你好、团队

请告诉我有关设计指南的信息:TIDA-010210?

为什么要使用 GaN 和 SiC 的组合而不是统一其中任何一种?

此致、  Teruhito  石桥

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Teruhito:

    TIDA-010210 主要使用 GaN FET 进行高频开关。

    •六个以 100 kHz 频率开关的电源卡、包括 GaN 电源开关器件和隔离偏置电源。

    •三个以 100 Hz 和 120 Hz 频率开关的电源卡、包括 Si 电源开关器件、栅极驱动器和隔离偏置电源。

    如架构概述中所示、主开关器件只需支持一半的完整开关电压。 若要支持此设计的 800V 直流链路电压、请使用额定电压为 600V 的器件。 开关 Q1、Q5、Q4 和 Q6 是高频开关、因此必须是 GaN 器件。 然而、开关 Q2 和 Q3 仅以 100Hz 和 120Hz 的频率开关、并且可使用 Si MOSFET。

    这里的高频开关是 GaN FET、低频开关是 Si MOSFET。

    此致、

    Adithya