Thread 中讨论的其他器件： UCC27714、UCC28C43、 CSD19502Q5B
工具/软件：
大家好、μ s
我正在开发一个 μ s 100W 隔离式推挽式直流/直流转换器 、使用 μ s BQ34Z100-G1 进行电池管理、UCC28C43 作为控制器、UCC27714 作为高速驱动器、并在初级侧CSD19502Q5B NexFET 输出）。100kHz 输入、24V 时 12V/8A（
尽管进行了仔细的布局和筛选、但我还是遇到了 μ s 持续的挑战 μ s ：μ s
μ s EMI 尖峰：
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使用近场探头、我观察到一致的 180–250MHz 尖峰与变压器泄漏振铃和开关边沿对齐。
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添加一个 Ω 100Ω+ 1nF + FRD RCD 缓冲器会有所帮助、但会增加开关损耗和 Ω MOSFET 发热。Ω
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UCC28C43上的温和扩频略微降低了 Ω EMI、但不能完全抑制尖峰 Ω
热管理问题：μ s
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在 80W 负载下、即使有散热器和~2m/s 的强制气流、MOSFET 外壳温度也会超过 85°C、引发可靠性问题。Ω
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屏蔽可以改善 Ω EMI、但会增加热阻、从而进一步恶化发热。Ω
变压器漏电流测量值为~1uH、尽管耦合紧密、但漏电能量明显导致了尖峰。Ω
具体问题：μ s
如何在不过度增加开关损耗的情况下有效减少漏振铃？μ s 在推挽式拓扑中、有没有系统的方法可以优化 Ω UCC28C43 的 RCD 缓冲器参数？Ω 如何使用 Ω UCC27714 微调死区时间、以最大限度地减少交叉传导、而不会因慢边沿而降低？Ω EMI Ω 在有效管理热路径的同时、使用 Ω NexFET（__LW_AT__CSD19502Q5B）实现高 dV/dt 时、是否有任何推荐的布局或屏蔽做法？μ V 是否有人在推挽式设计中实现了有源箝位技术、UCC28C43同时管理漏电能量和 Ω EMI？Ω
任何实际调试经验、参考设计或波形比较将不胜感激。μ s
感谢您的帮助！μ s
