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器件型号：BQ34Z100-G1Thread 中讨论的其他器件： UCC27714、UCC28C43、 CSD19502Q5B
工具/软件：
使用 BQ34Z100-G1 + UCC28C43 + UCC27714 + NexFET (CSD19502Q5B) 构建了 100W 隔离式直流/直流转换器：
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高频 EMI超标 μ s –尝试了 RCD 缓冲器、但损耗增加。
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MOSFET 会发热 即使存在强制空气冷却→长期可靠性问题。
问题： 
任意 优化 EMI 和热性能的整体解决方案 有什么用呢？ μ s 关键 PCB 布局注意事项 高频 NexFET 开关？
非常感谢！
