请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:UCC28C43Thread 中讨论的其他器件:CSD19502Q5B、 UCC27714
工具/软件:
在 UCC28C43 + UCC27714 + CSD19502Q5B NexFET 推挽式 100W 隔离式直流/直流转换器中:
严重 振铃的地方 导致 EMI 测试失败。
MOSFET 温度超过 85°C 80W 负载下。
问题: 操作方法 同时降低振铃和 MOSFET 温度 ?
Ω (对于推挽式设计)是 有源钳位电路或其他经过验证的方法 是否可用?
感谢您的帮助!