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器件型号：UCC28C43主题中讨论的其他器件：BQ34Z100-G1、UCC27714、 CSD19502Q5B
工具/软件：
您好的团队、
消息流 BQ34Z100-G1 + UCC28C43（控制器）+ UCC27714（驱动器）+ CSD19502Q5B NexFET 在中 100W 推挽隔离式直流/直流 (24V→12V/8A、100kHz) 、我们面对：
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强大的 180–250MHz EMI 尖峰、 通过 RCD 缓冲器部分降低、但增加了开关损耗。
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在 80W 负载下、MOSFET 外壳温度达到 85°C +（强制冷却）。
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较慢的栅极驱动会降低 EMI、但会增加发热；更快的边沿会超过 EMI 限制。
布局干净；变压器漏电流~1uH。
问题：
如何在不大幅增加损耗的情况下进一步降低 EMI 尖峰？
使用 UCC28C43 对推挽式缓冲器参数进行快速调优的方法？
NexFET 布局/屏蔽最佳实践来管理 EMI、同时保持热性能？
感谢任何实用的调优建议！
