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器件型号：UCC28C43主题中讨论的其他器件：BQ34Z100-G1、UCC27714、 CSD19502Q5B
工具/软件：
大家好！
消息流 BQ34Z100-G1 + UCC28C43 + UCC27714 + CSD19502Q5B、采用 100W 推挽式隔离式直流/直流转换器 (24V→12V/8A、100kHz) 、我看到：
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强大的 180–250MHz EMI 尖峰。 缓冲器可降低 EMI、但会增加损耗。
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在强制冷却的情况下、MOSFET 可保持在 85°C 低于 80W。
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较慢的栅极会降低 EMI、但会发热更多；快速边沿会导致 EMI 故障。
询问：
如何同时降低 EMI 尖峰和 MOSFET 发热？
调整推挽式缓冲器的快速方法？
是否有任何经过验证且采用快速推挽式 NexFET 的布局/屏蔽尖端？
谢谢！
