主题中讨论的其他器件:CSD18534Q5A、LM62460、 LM5148
工具/软件:
主题: 故障排除支持请求– LM5149RGYR 降压转换器高侧 MOSFET 故障
尊敬的[支持团队/工程师姓名/社区]:
但愿你能顺利。 如果遇到的问题、我很荣幸地请求帮助解决 直流/直流降压转换器设计 基于 LM5149RGYR
问题总结:
该转换器配置为从 12-32V 输入降至 5V 输出。 但是、在负载条件高于~1–2A 时、 高侧 MOSFET (Q1) —CSD18534Q5A—过热或发生灾难性故障。 在较高输入电压 (>26V ) 下、输出电压开始显著下降、有一次 MOSFET 损坏、导致几乎满的输入电压传递到负载。
Δ
观察到的行为:
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AT 0.2A 负载 、输出稳定在 5.0 V
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AT 1A 至 2A 、MOSFET 加热迅速、和 2 A IT 失败 。
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AT 4A 开始 烟雾 更低的输入电压下也是如此。
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AT 输入> 26V 、 无论负载如何、输出均降至~4.2V。
已采取的行动:
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将 Q1 更换为新单元。
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新增了 A 100Ω 栅极电阻器 导通 HO 到 GATE(稍后用于测试)。
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在较低输入电压 (12V ) 下进行测试、从而暂时改善行为。
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研究了布局并根据需要更换了去耦电容器。
️ 设计信息:
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控制器: LM5149RGYR e2e.ti.com/.../PCB-Sentry-Gun-Beta-Version-1_2D00_JUL_2D00_2025.zip
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HS FET: CSD18534Q5A
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输出:5V 、目标 电流高达 5A
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拓扑:同步降压
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开关频率:~440kHz
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可应要求提供原理图/布局文件
μ
申请:
非常感谢您对以下方面的见解或指导:
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针对高 VIN 使用进行适当的死区时间/栅极驱动调优
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Q1 的栅极电阻优化
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疑似布局引起的开关问题
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任何组件级替代或筛选建议
如果您需要其他详细信息、示波器捕获或设计文件以进行深入分析、敬请告知。 我很乐意提供任何支持信息。
提前感谢您的时间和专业知识。
此致、
穆罕默德·乌斯曼
设计工程师


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