[参考译文] BQ25120A：未连接 VIN 时 SYS 过高

您好、

您能否确认是否存在对 SYS 施加负载的情况？

此致、

Juan Ospina.

是的、SYS 为 MCU 和电路板上的一些模块供电。 除 VIN 外、2 个屏幕截图中的条件相同。

您好、

让我尝试重新创建行为、看看我是否无法确定原因以及如何减轻问题。

此致、

Juan Ospina.

您好、

我无法在 EVM 上重新创建此行为。 在这两种情况下、平均 VSYS 电压约为 3.3V。 我有以下设置：

- VIN = 0V；VBAT = 4V；SYS_VOUT = 3.3V；LDO = 3.3V；SYS_Load = 10mA

- VIN = 5V；VBAT = 4V；SYS_VOUT = 3.3V；LDO = 3.3V；SYS_Load = 10mA

您能分享一下您的原理图吗？

此致、

Juan Ospina.

感谢您的测试。 以下是 PMIC 的原理图：

谢谢你。 通过增加到达 VINLS 的电容、可以改善一些行为。 此外、看起来好像没有组装 PMID 电容器、这可能有助于提高稳定性。

您能否尝试重新创建测试、但将 LSLDO 配置为 3.3V LDO 而不是负载开关？

此致、

Juan Ospina.

接下来、我将介绍星期一上的 LDO 设置为 3.3V 的结果。 尽管当前 LSLDO 已经配置为 LDO (2.8V)、但不是作为负载开关。

PMID 上缺少的电容器和/或 LDO 上的高负载（约为 3.0V 时的 85mA） 是否）是否会导致状态寄存器中未定义的故障？ 有时、我在充电期间没有设置任何故障标志的情况下、状态寄存器会出现故障。 这种情况在其中任何一种情况下都会发生、尽管并非总是且看似随机：

-仅在 LDO 启用期间、故障在 LDO 禁用后清除

-在充电期间的任何时候;持续,切换 CD_N 引脚时不清除  

您好、

我认为这通常是 VIN ILIM 故障导致的。 如果您增加器件上的 ILIM 设置、是否也会发生故障？

此致、

Juan Ospina.

很抱歉、回复很晚。 该问题可能与我的另一个相关：  BQ25120A：直接在 VBAT 上存在外部负载的意外行为 

当 VBAT 上的负载较高时、SYS 较高。