主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO、 EV2400
工具/软件：
你（们）好
我将使用 bqStudio 和 EV2400 在 BQ34Z100-R2 上进行学习循环。
我使用的电池组是 Samsung 的 INR21700 4900mA 锂离子电池、电池组配置为 7S1P。
我将 ChemID 从 107 更改为 2591、以匹配我使用的电池电芯。
我要参考 TI 的 SLUA925 应用报告。
在 SLUA925 应用报告的“2.3 与学习周期完成相关的数据闪存配置设置“中、
此处指出“这些参数包括 Design Capacity、Design Voltage、ChargeTerm Taper Current、Dsg Current Threshold、Chg Current Threshold、 必须配置 Quit Current 和 Term Voltage“。
“2.3.1 Design Capacity“中列出的 Design Capacity mAh 和 Design Capacity CWH 设置为 4900、bqStudio 的 Data Memory -> Configuration->Data 中的 Design Energy 设置为 49。
但是、Design Voltage 的公式为“Design Voltage =（串联电芯数）x 平均电芯电压“。
在本例中、我使用 7 节串联的电芯、因此 7 节电芯 x 3.6V = 25,200mV。
但是、在 BQ34Z100-R2 技术参考手册中、设计电压范围如下图所示。
最大值声明为 5000mV、小于 25200mV。
Design Voltage 应设置为多少？
另一个问题是、在 SLUA925 应用报告的 3.锂离子电池的学习周期->学习周期过程->将电池放电至空电中、RDIS 标志是否意味着 RUP_DIS？
并显示“在此初始放电周期内禁用电阻更新“、但如何禁用电阻更新？
另外、在“对电池放电、直到电池组顶部的电压达到 Term Voltage。“中、术语 Voltage 是否意味着 Data Memory->Gas Gauging->IT Cfg->Cell Terminate Voltage？
如果 Cell Terminate Voltage 正确、则对于 7 节电池、我应该将其设置为什么值？
最后、如何禁用它？
