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[参考译文] TPS61287:TPS61287 的原理图

Guru**** 2457760 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS61287

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1543087/tps61287-the-schematic-diagram-reivew-for-tps61287

器件型号:TPS61287


工具/软件:

您好、

Pleaes 查看我们的 TPS61287 原理图、并建议是否存在任何错误、谢谢。

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    您好、

    您能告诉我输入电压范围、输出电压和负载电流范围吗? 谢谢。

    此致、

    Nathan

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    您好 Nathan、

    您能告诉我输入电压范围、输出电压和负载电流范围吗? 谢谢。

    输入电压为 8V 至 12.5V、输出电压为 24V、负载电流最大为 4A

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    尊敬的 Liang:

    对于外部 MOSFET、为什么要 并联两个 MOS? 我认为使用一个 MOS 就足够了、因为 ID 远高于应用中的工作电流。 两个 MOSFET 的风险在于、它会使驱动速度变慢、而我们的死区时间是固定的、因此较慢的驱动时间有击穿风险。 我们建议只输入一个 FKBA4016。

    对于 COMP 参数、需要根据输出电容的 ESR 值设置 C15、请检查 EC3 的 ESR、并根据下面的形式更新 C15 的值。

    3.对于 MLCC 输出电容器、3 个 10uF 通常是不够的、这会在 电容器上导致高纹波电流并缩短电容器寿命、请参阅数据表的应用部分。 或者、告诉我输出电容 p/n (EC3、CC22)、以便我可以帮助检查它是否正常。

    此致、

    Nathan

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    您好 Nathan、

    感谢您的专业 支持、我们更新了我们的设计、请帮助您再次检查。

    顺便说一下、您能帮助检查我们可以发送到 SMT 的 PCB 布局吗? 谢谢。

    e2e.ti.com/.../TPS61287.brd

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    尊敬的 Liang:

    不幸的是, PCB 文件无法打开,它显示“错误 (SPMHDB-238):设计已损坏。 它可能是使用 ASCII 模式从不同的体系结构复制的;使用二进制模式复制。“

    您能再检查一次吗? 谢谢

    此致、

    Nathan

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    您好 Nathan、

    抱歉、请确认以下文件是否可以打开。

    e2e.ti.com/.../TPS61287_2D00_20250730.brd

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    尊敬的 Liang:

    当我打开密码时、似乎需要密码。 您能告诉我密码吗?

    此致、

    Nathan

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    您好 Nathan、

    请尝试使用密码: s0730hgh,谢谢。

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    尊敬的 Liang:

    请参阅下面数据表中的布局示例。

    请更改 MOSFET 位置、使环路面积 SW-VOUT-GND(下面的红圈)尽可能小。

    原理图中的 C3 应连接到 PGND、而 C13 应连接到 AGND 而不是 PGND。

    请按如下所示更改 DRV 和 PGND 引脚布线、这两条布线的环路面积也应尽可能小。

    请还将 VCC 电容器尽可能靠近 VCC 和 AGND 引脚放置。

    PGND 和 AGND 应单个连接到 VCC 电容器的接地焊盘(橙色圆)。

    另外、原理图中不需要 C6、但可以将其保留为占位符以供可能使用。

    此致、

    Nathan

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    您好 Nathan、

        建议 遵循    相位面积图中所示的单层连接方法、

    还是 应该  像 在我们的设计中那样隔离所有层

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    尊敬的 Liang:

    您指的是相位面积? 是否出现 PGND 错误?

    我们建议在所有层上分离 AGND 和 PGND、并且只在 AGND 和 PGND 之间添加一个连接点。

    此致、

    Nathan