[参考译文] LM5190：无法解释的元件故障

你好、Marco  

您想告诉我、LM5190 器件是否有任何其他元件一起发生故障？  

我们尝试将 VIN 引脚同时连接到输入电压和电池（输出）、在后一种情况下、故障似乎更频繁。 ==>请您使用原理图详细解释此问题吗？ 当您将 VIN 引脚连接到输入电压和电池时、电池是否已充电？  

- EL   

您好、Eric、

VIN 未同时连接到输入和电池。

我们尝试了两种配置。

在第二种配置中、IC 由连接到电池的 Vout 供电。

电池始终存在。

为了避免 IC 因输入上的过压而损坏、最好使用这种配置、但似乎由于某种原因而导致 IC 故障。

谢谢、

Marco

你好、Marco  

您想告诉我、LM5190 器件是否有任何其他元件一起发生故障？  

您是否检查了哪个针脚损坏？  

当 VIN 引脚布线断开时、您是否安装了通常为 220nF 的 VIN 电容器？  

- EL  

您好、Eric、

我们将一个 22R 电阻器串联、并将一个 1uf 电容器用于滤除电源电压。

有时、引脚 VIN 会导致对地短路、有时我们在 VIN 和 VOUT 之间测量到低阻抗（例如 50R）。

谢谢、

Marco

你好、Marco  

看起来在连接电池时发生了过压事件。 器件的 ABS 最大额定值由 ATE 进行全面测试。  

请在 VIN 和 GND 之间添加额定电压为~ 62V 的齐纳二极管作为实验、并尝试重现此问题。 如果齐纳二极管损坏、则意味着 VIN 过冲量大于预期。

- EL  

你好、Marco  

检查 IC 原理图后我会回来的。

- EL  

你好、Marco

数据表“绝对最大值“表中并未提及、 但实际上 ISNS 至 VIN 和 VOUT 至 VIN 的绝对最大值为~ 5.5V。

如果 V (ISNS-VIN) 或 V (ISNS-VIN) VOUT 大于~ 5.5V、器件可能会损坏。  如果高侧 MOSFET 的漏极连接到 VIN 引脚、则高侧 MOSFET 的体二极管可防止这种情况。   

ISIN/VIN 和 VOUT 之间有一个内部 MOSFET、当 V (ISNS-VIN) 或 V (ISNS-VIN VOUT) 大于 5.5V 时、该 MOSFET 可能会损坏。 如果此 MOSFET 损坏、则 V (VIN) 跟随 V (VOUT)。  

即使该 MOSFET 未损坏、如果 VOUT 由外部供电、但器件未启用、也可能会意外导通该 MOSFET。  

- EL  

您好、Eric、

谢谢你的回答,但有一些我无法理解的东西。

我们将 22R 替换为 0r、以避免瞬态下出现压降：故障仍然发生、但频率较低。

当 VIN 连接到 VOUT (VOUT) 时、 V (ISNS-VIN) 和 V (VOUT VINS-VIN) 在所有情况下都应始终为零、因此不应发生故障。

我们无法理解的另一点是、如果我们通过 BIAS 引脚为 IC 供电、则 IC 在 VCC 引脚上没有电压的情况下就不会启动。

谢谢、

Marco

你好、Marco  

如果我们通过 BIAS 引脚为 IC 供电、则 IC 在 VCC 引脚上没有电压的情况下启动==>这是真的。 当 VIN 足够高、EN>EN 阈值且 VIN>VCC_UVLO_THRESHOLD 时、可启用器件 VCC

添加 22R 会降低问题发生频率、因此希望您可以检查 VIN 和 GND 之间是否发生任何过冲。  

- EL  

您好、Eric、

我曾写过 VCC 引脚、但我指的是 VIN 引脚、但我认为您的答案是正确的。

对于第二点： 通过删除 22R 并将其替换为简短版本、问题发生的频率会更低。

谢谢、

Marco