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器件型号：LM74502工具/软件：
您好！
我在 反极性保护配置中使用具有 4 个 PXN012-100QS 的 LM74502、以实现 48V、~30A（最大值）电压。 这里并联了用于“预充电“的次级 P-MOS 高侧开关、因为后面有相当大的容性负载、我不想让这 4 个 N-Moses 全部上电。
最近、我们发现很少有投入生产的电路板（我们在~100 块电路板上完成所有测试，没有问题）在反极性保护 FET（第二对并联）上发生漏极 — 栅极短路（硬卡滞）。 针对周围的其他一些元件对电路板进行了返工、在我手中的 PCB 上、我看到了这 2 个晶体管周围的助焊剂残留物。
我想确保不会遗漏设计上可能导致此问题的东西、可以有人帮我解决吗？
