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器件型号：LM5141主题中讨论的其他器件：CSD18543Q3A、
工具/软件：
适用于输入 8V 至 28V 和输出 3.3@10A。 计划使用 CSD18543Q3A 高侧和低侧 FET 内的 LM5141RGET。 我们需要计算 n MOS CSD18543Q3A[高侧+低侧]的开关损耗。 需要考虑什么上升时间和下降时间？ 是驱动器 VGS 的 TR 和 TF、还是 FET VDS？。 此外、驱动器电流要求可通过 Idriver= Qg【总栅极电荷】/Ttransition 来确定。 现在,对于“过渡“。 要考虑的价值是什么？
