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[参考译文] UCC21750-Q1:关于 UCC21750-Q1 的 DSET 电路问题

Guru**** 2463330 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1548616/ucc21750-q1-about-dset-circuit-question-for-ucc21750-q1

器件型号:UCC21750-Q1


工具/软件:

尊敬的 TI 员工:

在应用设计中使用采用 SMA 封装的 1200V 二极管时、间隙和爬电距离是否存在问题?

sluaay2 — 为  IGBT 和 SiC 电源模块选择适当的保护方法应用手册

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    尊敬的 Kuo:

    我认为 1200V 二极管在引脚之间应该有足够的间隙、但如果您计划在 1200V/系统高电压附近运行的任何其他电路在布局方面应该有足够的间隙。 以便根据隔离要求提供任何 LV 节点。

    希望它有所帮助。

    谢谢

    Sasi

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    如果 VDS 电压为 1000V 、当器件处于阻断状态时、串联二极管是否会承受 500V 的平台电压 ? 在计算爬电距离和电气间隙时、我是否应该使用 500V 作为评估的基础?

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    您好!

    Sasi 此时不在办公室、她应该在下一个工作日内回复您的职位。

    此致、

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    感谢 Richard 在我缺席期间的快速回应。  

    尊敬的 Kuo:

    这是一个好问题。 我们建议将 2 个 HV 二极管串联、每个二极管都与系统电压 (1200V) 串联。

    由于二极管压降将约为 0.7V、因此二极管上的电压仍将是系统电压。

    在以下设计中、HV 二极管两端仍被视为 HV。  如果任何一个二极管发生故障、则需要另一个二极管提供保护。 在以下设计中、第二个二极管位于电路板的底部。

    希望它有所帮助。

    谢谢

    Sasi